Конструирование микросхем и микропроцессоров
Конструирование микросхем и микропроцессоров
Московский Государственный институт электроники и математики
(Технический университет)
Кафедра: РТУиС
Пояснительная записка
по выполнению курсового проекта на тему:
“Конструирование микросхем и микропроцессоров”
Выполнил: студент
группы Р-72
Густов А.М.
Руководитель: доцент
кафедры РТУиС,
кандидат технических
наук Мишин Г.Т.
Москва, 1994
Задание на курсовое проектирование
В
данном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской
документации интегральной микросхемы К 237 ХА2. По функциональному
назначению разрабатываемая микросхема представляет собой усилитель
промежуточной частоты. Микросхема должна быть изготовлена по тонкопленочной
технологии методом свободных масок (МСМ) в виде гибридной интегральной
микросхемы (ГИМС).
[pic]
Рис. 1. Схема электрическая принципиальная
Таблица 1. Номиналы элементов схемы:
|Элемент |Номинал |Элемент |Номинал |Элемент |Номинал |Элемент |Номинал |
|R1 |950 Ом |R7 |4,25 кОм|R13 |1 кОм |R19 |1 кОм |
|R2 |14 кОм |R8 |12,5 кОм|R14 |3,5 кОм |C1 |3800 пФ |
|R3 |45 кОм |R9 |500 Ом |R15 |10 кОм |VT1-VT8 |КТ 312 |
|R4 |35 кОм |R10 |3 кОм |R16 |3,5 кОм |E |7,25 В |
|R5 |12,5 кОм|R11 |10 кОм |R17 |2,5 кОм | | |
|R6 |950 Ом |R12 |500 Ом |R18 |1 кОм | | |
Для подачи на схему входного сигнала и снятия выходного к микросхеме
требуется подключить некоторое количество навесных элементов. Одна из
возможных схем включения приведена на следующем рисунке.
[pic]
Рис. 2. Возможная схема включения
Таблица 2. Номиналы элементов схемы включения
|Элемент |Номинал |Элемент |Номинал |
|RA |8,2 кОм |CB |1 мкФ |
|RB |43 Ом |CC |0,033 мкФ |
|RC |2,2 кОм |CD |0,015 мкФ |
|RD |1,5 кОм |CE |4700 пФ |
|CA |3300 пФ |CF |3300 пФ |
Технические требования:
Конструкцию микросхемы выполнить в соответствии с электрической
принципиальной схемой по тонкопленочной технологии методом свободных масок
в корпусе.
Микросхема должна удовлетворять общим техническим условиям и
удовлетворять следующим требованиям:
- предельная рабочая температура - 150( С;
- расчетное время эксплуатации - 5000 часов;
- вибрация с частотой - 5-2000 Гц;
- удары многократные с ускорением 35;
- удары однократные с ускорением 100;
- ускорения до 50.
Вид производства - мелкосерийное, объем - 5000 в год.
Аннотация
Ц
елью данного курсового проекта является разработка интегральной микросхемы
в соответствии с требованиями, приведенными в техническом задании.
Микросхема выполняется методом свободных масок по тонкопленочной
технологии.
В процессе выполнения работы мы выполнили следующие действия и
получили результаты:
- произвели электрический расчет схемы с помощью программы
электрического моделирования “VITUS”, в результате которого мы получили
необходимые данные для расчета геометрических размеров элементов;
- произвели расчет геометрических размеров элементов и получили их
размеры, необходимые для выбора топологии микросхемы;
- произвели выбор подложки для микросхемы и расположили на ней
элементы, а также в соответствии с электрической принципиальной схемой
сделали соединения между элементами;
- выбрали корпус для микросхемы с тем расчетом, чтобы стандартная
подложка с размещенными элементами помещалась в один из корпусов,
рекомендуемых ГОСТом 17467-79.
Введение
П
риведем принципы работы и основные характеристики разрабатываемой
микросхемы:
Микросхема К 237 ХА 2 предназначена для усиления и детектирования
сигналов ПЧ (промежуточной частоты) радиоприемных устройств не имеющих УКВ
диапазона, а также для усиления напряжения АРУ (автоматической регулировки
усиления). Широкополосный усилитель ПЧ состоит из регулируемого усилителя
на транзисторах Т4, Т5 и Т6. Усиленный сигнал поступает на детектор АМ-
сигналов (амплитудно-модулированных сигналов), выполненный на составном
транзисторе Т7, Т8. Низкочастотный сигнал с резистора R19, включенного в
эмиттерную цепь, подается через внешний фильтр на предварительный усилитель
НЧ (низкой частоты), а также через резистор R15 на базу транзистора Т3,
входящего в усилитель АРУ. Усиленное напряжение АРУ снимается с эмиттера
транзистора Т2. Изменение напряжения на эмиттере транзистора Т2 вызывает
изменение напряжения питания транзистора Т1, а следовательно и его
усиления.
На частоте 465 кГц коэффициент усиления усилителя ПЧ составляет 1200
- 2500. Коэффициент нелинейных искажений не превышает 3%. Если входной
сигнал меняется от 0,05 до 3 мВ, то изменение выходного напряжения не
превышает 6дБ. Напряжение на выходе системы АРУ при отсутствии выходного
сигнала составляет 3 - 4,5 В. Напряжение питания составляет 3,6 - 10 В.
Потребляемая мощность не более 35 мВт.
Анализ задания на проект
М
икросхема усиления промежуточной частоты (ПЧ) К 237ХА2 может быть
изготовлена по тонкопленочной технологии с применением навесных элементов.
Конструкция микросхемы выполняется методом свободной маски, при этом каждый
слой тонкопленочной структуры наносится через специальный трафарет. На
поверхности подложки сформированы пленочные резисторы, конденсаторы, а
также контактные площадки и межэлементные соединения. Пленочная технология
не предусматривает изготовление транзисторов, поэтому транзисторы выполнены
в виде навесных элементов, приклеенных на подложку микросхемы. Выводы
транзисторов привариваются к соответствующим контактным площадкам.
Электрический расчет принципиальной схемы
Э
лектрический расчет производился с помощью системы “VITUS”.
Система VITUS - это компьютерное инструментальное средство
разработчика электронных схем. Система VITUS позволяет рассчитать
токи, напряжения, мощности во всех узлах и элементах схемы, частотные и
спектральные характеристики схемы. Система VITUS объединяет в себе
компьютерный аналог вольтметров, амперметров и ваттметров постоянного и
переменного тока, генераторов сигналов произвольной формы,
многоканального осциллографа, измерителя частотных характе-ристик.
Система VITUS :
. позволяет описывать принципиальную схему как в графическом виде, так и на
встроенном входном языке;
. выводит требуемые результаты расчета в графическом виде;
. снабжена справочником параметров элементов;
. работает под управлением дружественного интерфейса.
Основной задачей электрического расчета является определение
мощностей, рассеиваемых резисторами и рабочих напряжений на обкладках
конденсаторов. В результате расчета были получены реальные значения
мощностей и напряжений, которые являются исходными данными для расчета
геометрических размеров элементов.
Результаты расчета приводятся в расчете геометрических размеров
элементов.
Данные для расчета геометрических размеров тонкопленочных элементов
Таблица 3. Данные для расчета резисторов
|Резистор|Рном , |(R |[pic] |Резистор|Рном , |(R |[pic] |
| |Вт | | | |Вт | | |
|R1 |1,41E-6 |0,2 |0,1 |R11 |4,46E-3 |0,22 |0,1 |
|R2 |3,36E-8 |0,22 |0,1 |R12 |2,23E-4 |0,2 |0,1 |
|R3 |2,47E-4 |0,22 |0,1 |R13 |1,79E-5 |0,2 |0,1 |
|R4 |1,98E-4 |0,22 |0,1 |R14 |1,05E-2 |0,2 |0,1 |
|R5 |8,58E-6 |0,22 |0,1 |R15 |3,91E-10|0,22 |0,1 |
|R6 |5,35E-13|0,2 |0,1 |R16 |1,27E-6 |0,2 |0,1 |
|R7 |3,21E-5 |0,2 |0,1 |R17 |3,46E-4 |0,2 |0,1 |
|R8 |3,30E-3 |0,22 |0,1 |R18 |1,95E-4 |0,2 |0,1 |
|R9 |7,4E-5 |0,2 |0,1 |R19 |1,97E-4 |0,2 |0,1 |
|R10 |4,51E-5 |0,2 |0,1 | | | | |
Таблица 4. Данные для расчета конденсаторов
|Конденсатор |Uраб , В |[pic] |[pic] |
|C1 |2,348 | 0,23 |0,115 |
Расчет геометрических размеров тонкопленочных резисторов, выполненных
методом свободной маски (МСМ)
1. Исходные данные:
а). конструкторские: [pic], где
Rн - номинальное сопротивление резистора;
(R - относительная погрешность номинального сопротивления;
Pн - номинальная мощность;
T(max C - максимальная рабочая температура МС;
tэкспл - время эксплуатации МС.
б). технологические: [pic], где
(((((( - абсолютная погрешность изготовления;
(lустан - абсолютная погрешность совмещения трафарета;
[pic]- относительная погрешность удельного сопротивления.
2. Определяем диапазон [pic], в котором можно вести расчет:
0,02 Rmax ( [pic] < Rmin ( 900 < [pic] < 500
Видим, что неравенство не выполняется, значит все эти резисторы
изготовить из одного материала невозможно. Чтобы мы все же могли изготовить
резисторы, надо разбить их на две группы и для каждой группы выбрать свой
материал.
Таблица 5. Разбивка резисторов на группы
|Первая группа |R1, R6, R7, R9, R10, R12, R13, R14, |
| |R16, R17, R18, R19 (500 - 4250 Ом) |
|Вторая группа |R2, R3, R4, R5, R8, R11, R15 (10 - |
| |45 кОм) |
Расчет резисторов первой группы.
1. Определяем диапазон [pic] , в котором можно вести расчет:
0,02 Rmax < [pic] < Rmin ( 85 < [pic] < 500
Видим, что неравенство выполняется, следовательно эти резисторы
выполняются из одного материала. Для того чтобы резисторы были как можно
меньше выберем материал с как можно большим удельным поверхностным
сопротивлением ([pic]). Остановим свой выбор на материале “МЛТ-3М”. Этот
материал обладает следующими характеристиками:
Таблица 6. Материал для первой группы резисторов
|№ |Наименование |[pic], Ом/€ |( R , 1/(C |P0 , мВт/мм2 |S, %/103 час |
|1 |Сплав МЛТ-3М |200 -500 |0,0002 |10 |0,5 |
| |(К0,028,005,ТУ| | | | |
Как уже говорилось, [pic] лучше взять как можно больше, т.е. в
данном случае это [pic]=500. Этот материал обладает неплохими
характеристиками, присущими резистивным материалам, а именно: низким ТКС
((R), низким коэффициентом нестабильности (старения) (S), хорошей адгезией
и технологичностью.
2. Вычислим относительную температурную погрешность:
[pic]=0,0002(150-20)=0,026
3. Вычислим относительную погрешность старения:
[pic], где
tисп - время испытания за которое определен коэффициент старения S;
tисп = 1000 часов.
4. Вычислим относительную погрешность контактирования:
[pic]= 0,01 - 0,03 ( зададимся [pic][pic]=0,01
5. Вычислим относительную погрешность формы:
(кф = (R - [pic]- [pic]- [pic] - [pic] = 0,2 - 0,1 - 0,026 - 0,025
-0,01=0,039;
6. Определение вида резистора (подстраиваемый или неподстраиваемый):
(кф > (b/ bmax , где bmax = 2 мм ( (кф > 0,01 (
резистор неподстраиваемый.
Предпочтение отдается неподстраиваемому резистору.
7. Вычислим коэффициент формы рассчитываемого резистора:
[pic] = 950/500 = 1,9;
8. Определение вида резистора (прямой или меандр):
Если коэффициент формы меньше 10, то резистор прямой, а если больше
десяти, то резистор изготовляется в форме меандра. Предпочтение отдается
прямому резистору. В данном случае резистор изготовляется прямым.
9. Определение ширины резистора по мощности рассеяния:
[pic]
10. Определение основного размера по заданной точности:
[pic], где (l=(b=0,02 при условии, что коэффициент формы больше
единицы.
11. Выбор основного размера:
[pic] ( b = 0,78 мм
12. Определение длины резистора:
[pic]
13. Проверка проведенных расчетов:
[pic]Ом ( расчет выполнен правильно !
На этом этапе мы рассчитали первый резистор из первой группы (R1).
Расчет остальных резисторов этой группы аналогичен и далее не приводится.
Результаты расчета всех резисторов данной группы сведены в таблицу.
Таблица 7. Результаты расчета резисторов первой группы
|Резистор |Кф |bmin ( , мм|bmin p , мм|b, мм |l, мм |Вид резистора |
|R1 |1,9 |0,78 |0,0086 |0,78 |1,48 |Прямой, |
| | | | | | |неподстр. |
|R6 |1,9 |0,78 |0,0000053 |0,78 |1,48 |Прямой, |
| | | | | | |неподстр. |
|R7 |8,5 |0,57 |0,02 |0,57 |4,85 |Прямой, |
| | | | | | |неподстр. |
|R9 |1 |1,03 |0,086 |1,03 |1,03 |Прямой, |
| | | | | | |неподстр. |
|R10 |6 |0,60 |0,03 |0,60 |3,60 |Прямой, |
| | | | | | |неподстр. |
|R12 |1 |1,03 |0,15 |1,03 |1,03 |Прямой, |
| | | | | | |неподстр. |
|R13 |2 |0,77 |0,03 |0,77 |1,54 |Прямой, |
| | | | | | |неподстр. |
|R14 |7 |0,59 |0,39 |0,59 |4,13 |Прямой, |
| | | | | | |неподстр. |
|R16 |7 |0,59 |0,0043 |0,59 |4,13 |Прямой, |
| | | | | | |неподстр. |
|R17 |5 |0,62 |0,083 |0,62 |3,10 |Прямой, |
| | | | | | |неподстр. |
|R18 |2 |0,77 |0,10 |0,77 |1,54 |Прямой, |
| | | | | | |неподстр. |
|R19 |2 |0,77 |0,10 |0,77 |1,54 |Прямой, |
| | | | | | |неподстр. |
На этом расчет резисторов первой группы завершен. Все резисторы
получились прямыми и неподстраиваемыми. Благодаря этому размеры резисторов
минимальны, что позволит располагать их на подложке компактно и с
наибольшей степенью интеграции.
Расчет резисторов второй группы.
1. Определяем диапазон [pic], в котором можно вести расчет:
0,02 Rmax < [pic] < Rmin ( 900 < [pic] < 10000
Видим, что неравенство выполняется, следовательно эти резисторы
выполняются из одного материала. Для того чтобы резисторы были как можно
меньше выберем материал с как можно большим удельным поверхностным
сопротивлением ([pic]). Остановим свой выбор на материале “КЕРМЕТ”. Этот
материал обладает следующими характеристиками:
Таблица 8. Материал для второй группы резисторов
|№ |Наименование |[pic], Ом/€ |( R , 1/(C |P0 , мВт/мм2 |S, %/103 час |
|2 |Кермет К-50С |5000 |0,0004 |10 |0,5 |
| |ЕТО,021,013,ТУ| | | | |
Этот материал обладает хорошими характеристиками, свойственными
резистивным материалам, а именно: низким ТКС ((R), низким коэффициентом
нестабильности (старения) (S), хорошей адгезией и технологичностью.
2. Вычислим относительную температурную погрешность:
[pic]=0,0004(150-20)=0,052
3. Вычислим относительную погрешность старения:
[pic], где
tисп - время испытания за которое определен коэффициент старения S;
tисп = 1000 часов.
4. Вычислим относительную погрешность контактирования:
[pic]= 0,01 - 0,03 ( зададимся [pic][pic]=0,01
5. Вычислим относительную погрешность формы:
(кф = (R - [pic]- [pic]- [pic] - [pic] = 0,22 - 0,1 - 0,052 -
0,025 -0,01=0,033;
6. Определение вида резистора (подстраиваемый или неподстраиваемый):
(кф > (b/ bmax , где bmax = 2 мм ( (кф > 0,01 (
резистор неподстраиваемый.
Предпочтение отдается неподстраиваемому резистору.
7. Вычислим коэффициент формы рассчитываемого резистора:
[pic] = 14000/5000 = 2,8;
8. Определение вида резистора (прямой или меандр):
Если коэффициент формы меньше 10, то резистор прямой, а если больше
десяти, то резистор изготовляется в форме меандра. Предпочтение отдается
Страницы: 1, 2
|