МЕНЮ


Фестивали и конкурсы
Семинары
Издания
О МОДНТ
Приглашения
Поздравляем

НАУЧНЫЕ РАБОТЫ


  • Инновационный менеджмент
  • Инвестиции
  • ИГП
  • Земельное право
  • Журналистика
  • Жилищное право
  • Радиоэлектроника
  • Психология
  • Программирование и комп-ры
  • Предпринимательство
  • Право
  • Политология
  • Полиграфия
  • Педагогика
  • Оккультизм и уфология
  • Начертательная геометрия
  • Бухучет управленчучет
  • Биология
  • Бизнес-план
  • Безопасность жизнедеятельности
  • Банковское дело
  • АХД экпред финансы предприятий
  • Аудит
  • Ветеринария
  • Валютные отношения
  • Бухгалтерский учет и аудит
  • Ботаника и сельское хозяйство
  • Биржевое дело
  • Банковское дело
  • Астрономия
  • Архитектура
  • Арбитражный процесс
  • Безопасность жизнедеятельности
  • Административное право
  • Авиация и космонавтика
  • Кулинария
  • Наука и техника
  • Криминология
  • Криминалистика
  • Косметология
  • Коммуникации и связь
  • Кибернетика
  • Исторические личности
  • Информатика
  • Инвестиции
  • по Зоология
  • Журналистика
  • Карта сайта
  • Реферат: Интегральная микросхема КР1533ТВ6

    Динамические параметры

    Обозна­чение

    Наименование параметра Норма Единица измере­ния Режим измерения
    не менее не более

    tpLH

    Время задержки распространения сигнала при выключении 20 НС

    исс=5,ОЕ+10%

    rL=o,5кom

    t=2nc
    tpHL Время задержки распространения сигнала при включении 15 НС

    Urr=5,OB+-10% RL=0.5кОм СL=50пФ t=2Hc


                                                                              13 777-Ч-2001  2202  КП-ГЧ

    Лит

     

    Масштаб

     

    Масса

     

    КР1533ТВ6

     
      Изм  Лист  №Документа    Подпись   Дата                  .

        Разраб.      .                                                   .

       Проверил   .

                                                                                                                                Лист              Листов


                                                                                                                                     УКСИВТ, 3А-1 


    Статические параметры

    Обозна­чение Наименование параметра Норма Единица Режим измерения
    не менее не более измерения

    Uoh

    Выходное напряжение высокого уровня

    UCC-2

    В

    Ucc=4,5В Uih~2,OB UIL=0,8В 1лн=-0,4мА IOL=-0.4MA

    uol

    Выходное напряжение низкого уровня 0,4 0,5 В В

    Ucc=4,58 UIH=2,OB UIL=0,8В

    IOL=4MA IOL=8мА

    IIH

    Входной ток высокого уровня - по выводам 01,04, 03. 11 - по выводам 09, 10, 12, 13 20 40 мкА

    UCC=5,5B UIH=2,7B

    iil

    Входной ток низкого уоовня - по выводам 01, 04, С 3,11 - по выводам 09, 10, 12, 13 |-0,2| |-0,4| мА

    UCC=5,5B UTL=0.4B

    Io

    Выходной ток I-30I |-112| мА

    UCC=5,5B U0=2.25B

    ucdi

    Прямое падение напряжения на антизвонном диоде 1-1,51 В

    Uгр=4,53, IL=-18мА

    Ucc

    Ток потребления 4,5 мА

    UCC=5,5B


                                                                              13 777-Ч-2001  2202  КП-ГЧ

    Лит

     

    Масштаб

     

    Масса

     

    КР1533ТВ6

     
      Изм  Лист  №Документа    Подпись   Дата                  .

        Разраб.                                                          .

       Проверил   .

                                                                                                                                Лист              Листов


                                                                                                                                     УКСИВТ, 3А-1 


    Функциональный ряд ИС ТТЛ КР1533ТВ*

    Назначение, функциональные возможности

    Тип

    133, Н133, КМ133

    134, К134, КР134

    155, К155, КМ155

    199

    530, М530, Н530, КМ530

    К531, КМ531, КР531

    533, Н533

    555, К555, КМ555

    К599

    КР1531

    1533, КР1533

    JК - триггер с логикой ЗИ на входе ТВ1 + + +
    Два JK-триггера со сбросом ТВ6 + +
    Два JK-триггера с установкой «О» и «1» ТВ9 + + + +
    Два JK-триггера с установкой «1» ТВ10 + +
    Два JK-триггера с установкой «1» и общей установкой нуля и синхронизацией ТВ11 + +
    Два JK-триггера ТВ14 +
    ТВ 15 + + +


                                                                              13 777-Ч-2001  2202  КП-ПЗ

    Лит

     

    Масштаб

     

    Масса

     

    КР1533ТВ6

     
      Изм  Лист  №Документа    Подпись   Дата                  .

        Разраб.      .                                                   .

       Проверил   .

                                                                                                                                Лист              Листов


                                                                                                                                     УКСИВТ, 3А-1 

    5. Технология изготовления

    Особенностью полупроводниковых ИМС является то, что все элементы изготавливают одновременно в едином технологическом цикле, отдельные операции которого (окис­ление и травление, диффузия, эпитаксия) выполняются в одной и той же среде.

    При создании активных и пассивных элементов современных ИМС используют следующие основные технологические операции: окисление, травление, литографию, диффузию, ионное легирование, эпитаксию, напыление и нанесение пленок.

    Окисление. Кремниевую пластину нагревают до 800 —1200 °С и подвергают воздействию кислорода или насыщенных водяных па­ров. В такой окислительной среде атомы на поверхности пластины взаимодействуют с кислородом и образуют тонкий диэлектрический слой. На начальных этапах изготовления ИМС слой  толщи­ной 1—3 мкм используют как маску для проведения избирательной диффузии на участках пластины, не покрытых этим слоем. При помощи это­го слоя предотвращается диффузия примесей в полупроводник, находящийся под слоем, так как коэффициент диффузии примесей в двуоки­си кремния значительно меньше, чем в полупроводнике. Диэлектриче­скую пленку  используют также в качестве диэлектрика для затвора МДП-транзисторов. На последнем этапе изготовления ИМС диэлектрический слой  применяют для пассивации кристалла: этот слой, покрывая всю поверхность кристалла, предохраняет ИМС от воздействия окружающей среды.

    Более современным является анодное окисление кремния, позво­ляющее формировать диэлектрическую пленку на поверхности крем­ния почти любой толщины путем выбора режима анодного окисления. В отличие от термического окисления это низкотемпературный про­цесс, который избавляет от нескольких высокотемпературных обрабо­ток, связанных с выполнением термического окисления при формирований масок.

    Травление проводится в плавиковой кислоте, в которой этот слой рас­творяется. На тех участках пластины, на которых необходимо прово­дить диффузию, в слое  при. помощи плавиковой кислоты вытравливают окна требуемых размеров.

    Литография. Окна на поверхности пластины, используемые для проведения диффузии, наносятся фотолитографическим методом. При этом поверх слоя; на пластину наносят фоторезистор, представляющий собой тонкую пленку светочувствительного органического материала. Затем накладывается фотошаблон в виде стеклянной контактной ма­ски, на которой имеется рисунок, состоящий из прозрачных и непроз­рачных областей. Через маску фоторезистор подвергается облучению ультрафиолетовыми лучами, в результате чего при действии проявите­ля на облученных участках фоторезистор не проявляется. Таким образом, на поверхности пластины остается рисунок определенной конфигура­ции и соответствующих размеров. При травлении пластины в плавиковой кислоте для удаления слоя  фоторезистор не растворяется, по­этому окна вскрываются только на участках, не покрытых экспони­рованным фоторезистором. Через эти окна и проводится, диф­фузия.

    Фотолитография позволяет создавать рисунки с размерами элементов не менее- 2 мкм. Этим размером ограничивается плотность компоновки элементов на пластинах.

    Более высокой разрешающей способностью обладает электронно-лучевая литография. При прямой экспозиции полупроводниковой пластины в электронном луче можно создавать полоски в 20 раз более узкие, чем при фотолитографии, тем самым уменьшая размеры элементов до 0,1 мкм.'

    Диффузия примесей применяется для легирования пластины с целью формирования р- и n-слоев, образующих эмиттер, базу, кол­лектор биполярных транзисторов, сток, исток, канал униполярных транзисторов, резистивные слои, а также изолирующие р-n-переходы. Для диффузии примесей пластины нагреваются до 800—1250 °С и над ее поверхностью пропускается газ, содержащий примесь. Примесь диффундирует в глубь пластины через окна, вскрытые в слое ЗЮд. Глубину залегания диффузионного слоя и его сопротивление регули­руют путем изменения режима диффузии (температуры и продолжи­тельности диффузии).

    Ионное легирование. Вместо диффузии для имплантации примесей в полупроводник применяют 'ионное легирование. Для этого ионы примесей ускоряют в ускорителе до 80—300 кэВ, а затем их напра­вляют на подложку, защищая при помощи маски те участки, которые не должны подвергаться легированию. Введение примесей в широком диапазоне концентраций и возможность осуществления более точного контроля дозировок примесей позволяют изменять параметры элемен­тов в требуемых пределах. Поэтому вместо диффузии все больше при­меняют ионное легирование, хотя ее внедрение связано с переоснаще­нием производства ИМС дорогостоящим оборудованием.

    В производстве полупроводниковых ИС и многих дискретных приборов необходимо на подложке создавать однородно легированные по толщине слои одноименного ей полу проводника, а в некоторых случаях – и полупроводника другого вида, с иной шириной запрещенной зоны.  В частности, это необходимо для расширения функциональных возможностей схем, улучшения их параметров путем, например, формирования скрытых под такими слоями участков высокой проводимости (скрытых слоев).

    Термин «эпитаксия», впервые предложенный Руайе, отражает в настоящее время процесс ориентированного нарастания, в результате которого образующаяся новая фаза закономерно продолжает кристаллическую решетку имеющейся фазы – подложки с образованием некоторого переходного слоя, способствующего когерентному срастанию двух решеток по плоскости подложки со сходной плотностью упаковки  атомов. По окончании формирования переходного слоя эпитаксиальный процесс продолжается с образованием слоя требуемой толщины.

    Эпитаксиальный слой (ЭС) – это монокристаллический слой новой фазы, выросший в результате эпитаксии на поверхности монокристаллической подложки строго определенным образом, который имеет прочную кристаллохимическую связь с подложкой и не может быть отделен от нее без разрушения слоя или поверхности подложки. ЭС практически продолжает кристаллическую решетку подложки и ориентирован  строго определенным образом относительно кристаллографической плоскости, выходящей на ее поверхность. 

    Основное физическое явление, которое имеет место в процессе эпитаксии,- это кристаллизация вещества. Под кристаллизацией вещества понимают появление зародышей твердой фазы и их рост. В зависимости от того, из каких составов получают ЭС, различают следующие механизмы кристаллизации:

     

    Механизм пар – кристалл (П - К), когда образование твердой фазы происходит из парообразного или газообразного состояния вещества;

    Механизм пар – жидкость – кристалл (П – Ж - К), когда образование твердой фазы из парообразного состояния проходит стадию жидкого состояния. Примером может служить кристаллизация Ge на подложке Si, если последнюю нагреть до температуры, превышающей температуру плавления Ge;

    Механизм твердое тело – кристалл (Т - К), когда выращивание эпитаксиального слоя производится  из электролитов или расплавов.

    Эпитаксию применяют для выращивания на поверхности кремние­вой пластины полупроводникового слоя с п- или р-проводимостью. Такой слой толщиной несколько микрон образуется при пропускании над нагретой до 1250 °С подложкой потока газа, содержащего несколь­ко соединений, которые, вступая в химическую реакцию, разлагаются на части и приводят к образованию эпитаксиального слоя с n- или р-проводимостью на поверхности пластины.

    Напыление   и  нанесение   пленок. Элементы   полупроводни

    ковых ИМС соединяются между собой с помощью проводящего рисунка, по­лученного путем напыления металлической пленки. Для этого после вытравления с помощью фотолитографии окон под контакты в вакуу­ме напыляется алюминиевая пленка на всю поверхность пластины. Пу­тем напыления формируют также металлизированные площадки, к ко­торым путем термокомпрессионной сварки привариваются выводы микросхемы и тонкие проволочки, соединяющие бескорпусные транзи­сторы в гибридных ИМС. В последнее время вместо проволочных перемычек применяют балочные выводы, представляющие собой зо­лотые удлиненные выступы. Во время сборки гибридной ИМС ба­лочные выводы совмещают с контактными площадками на подложке и припаивают к ним, нагревая до температуры, при которой образует­ся эвтектический спай. Наконец путем напыления и нанесения пленок изготавливают пассивные элементы в совмещенных и гибридных ИМС в виде толстых и тонких пленок.

    Используемая литература


    1. Справочник «Логические ИС. КР1533, КР1554. Часть 2.». - БИНОМ,  1993г. 
    2.  В.Л. Шило. Популярные цифровые микросхемы. - «Металлургия», 1988г.
    3.  «Интегральные микросхемы и основы их проектирования».

         Н.М. Николаев, Н.А. Филинюк.

    1. «Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы». Справочник.
    2. «Логические интегральные схемы КР1533, КР1554». Справочник.
    3. «Конструирование и технология микросхем».
    4. «Проектирование дискретных устройств на интегральных     микросхемах». Справочник. Г.И. Пухальский, Т.Я. Новосельцева.

    Страницы: 1, 2, 3


    Приглашения

    09.12.2013 - 16.12.2013

    Международный конкурс хореографического искусства в рамках Международного фестиваля искусств «РОЖДЕСТВЕНСКАЯ АНДОРРА»

    09.12.2013 - 16.12.2013

    Международный конкурс хорового искусства в АНДОРРЕ «РОЖДЕСТВЕНСКАЯ АНДОРРА»




    Copyright © 2012 г.
    При использовании материалов - ссылка на сайт обязательна.