Разработка управления тюнером спутникового телевидения

информацию, поступающую от МП.

Схема включения 1533 UR22.

| |1 | | | | |

|ALE | |ОЕ | | | |

| |11 | | | |2 Uп=5В |

| | |РЕ | |Q1 | |

| |3 | | | |5 № 10 – ЗЕМЛЯ |

| | |D1 | |Q2 | |

| |4 | | | |6 № 20 - Uп |

| | |D2 | |Q3 | |

| |7 | | | |9 |

| | |D3 | |Q4 | |

|К |8 | | | |12 |

|AD0[p| |D4 | |Q5 | |

|ic] | | | | | |

|AD7 |13 | | | |15 |

| | |D5 | |Q6 | |

| |14 | | | |16 |

| | |D6 | |Q7 | |

| |17 | | | |19 |

| | |D7 | |Q8 | |

| |18 | | | | |

| | |D8 | | | |

Таблица истинности.

| | | | |Выход |Выход |

| | | | |триг-ге| |

| | | | |ра | |

| |[pic|PE |Dn |[pic] |Q0[pic]|

|Разрешение и считывание из |] |В |Н |Н |Q7 |

|регистра |Н |В |В |В |Н |

| |Н | | | |В |

|Защелкивание и считывание из |Н |Н |«Н» |Н |Н |

|регистра |Н |Н |«В» |В |В |

|Защелкивание в регистр |В |Н |«Н» |Н |Z |

|разрыв выходов |В |Н |«В» |В |Z |

1.2.3. Шина данных микропроцессора 1821ВМ85.

Шина данных в отличие от шины адреса является двунаправленной. Значит

необходимо предусмотреть буфер, который по соответствующим сигналам

управления от МП будет пропускать данные как к МП так и от него. В качестве

двунаправленного буфера будем использовать микросхему 1533

АП6.

Микросхема 1533 АП6 содержит 8 ДНШУ с тремя состояниями выводов, два

входа разрешения ЕАВ - №1 (переключение направления каналов) и [pic] - №19

(перевод выхода канала в состояние Z).

Таблица истинности.

|[pic] |ЕАВ |Ап |Вп |

|Н |Н |А[pic]В |Вход |

|Н |В |Вход |В[pic]А |

|В |х |Z |Z |

В качестве управляющих сигналов будем использовать сигналы [pic]; EN. Если

сигнал [pic] подать на вход №1 микросхемы 1533 АП6, то при [pic]=

«0» направление передачи информации В[pic]А

[pic]= «1» направление передачи информации А[pic]В

Подача сигнала EN на вход № 19 микросхемы 1533 АП6, при котором выводы

переходят в третье Z состояние, будет рассмотрена ниже.

| |2 | |[pic]| | |

| | |АО |F | | |

| | | |[pic]| | |

| |3 | | | |18 Uп=5В |

| | |А1 | |В0 | |

| |4 | | | |17 № 20 – Uп |

| | |А2 | |В1 | |

| |5 | | | |16 № 10 - ЗЕМЛЯ |

| | |А3 | |В2 | |

| |6 | | | |15 |

| | |А4 | |В3 | |

| |7 | | | |14 |

| | |А5 | |В4 | |

| |8 | | | |13 |

| | |А6 | |В5 | |

| |9 | | | |12 |

| | |А7 | |В6 | |

| |1 | | | |11 |

| | |ЕАВ | |В7 | |

| |19 | | | | |

| | |[pic| | | |

| | |] | | | |

1.2.4. Генератор тактовых импульсов

для микропроцессора 1821 ВМ85.

Схема генератора тактовых импульсов микропроцессора 1821ВМ85

содержится в самом микропроцессоре. Достаточно подключить кварцевый

резонатор к выводам № 1 и № 2 МП. Кварцевый резонатор может иметь любую

частоту колебаний в диапазоне от 1 до 6 МГц. Эта частота делится пополам, и

соответствующие импульсы используются в МП. На рисунке 2 показана схема

подключения кварцевого резонатора, в результате чего обеспечивается

синхронизация МП 1821ВМ85.

+5 В

1МГц

Рисунок 2.

1.2.5. Установка начального состояния

микропроцессора 1821ВМ85.

После включения питания ЦП должен начинать выполнение программы

каждый раз с команды, расположенной в ячейке с определенным адресом, а не с

какой-либо произвольной ячейке. Для этого нужно выполнить начальную

установку МП. Такая начальная установка осуществляется при первом включении

МП, а также в любое время, когда потребуется вернуть МП к началу выполнения

системной программы, всегда с одной и той же определенной ячейки памяти.

Чтобы выполнить функции начальной установки МП, к входу [pic] (№ 36)

МП подключаются элементы, соединенные в соответствии со схемой, показанной

на рисунке 3.

При подаче питания конденсатор заряжается до напряжения +5 В через

R1. Когда напряжение достигает некоторого определенного значения (min 2.4

В), выполнение команды «сброс» завершится и система начнет выполнение

программы с адреса 0000. После отключения питания произойдет разрядка

конденсатора С1 и микропроцессор будет находиться в исходном состоянии до

тех пор, пока напряжение на конденсаторе С1 не достигнет требуемого

значения.

+5В

VD1 R1

C1

Рисунок 3.

1.2.6. Запоминающие устройства.

Постоянная тенденция к усложнению задач, решаемых с помощью

микропроцессорной техники, требует увеличение объёма и ускорение процесса

вычислений. Однако скорость решения любой задачи на ЭВМ ограничена временем

ограничения к памяти, т.е. к ОЗУ. В таблице сравниваются характеристики

ОЗУ, выполненной на разной элементно-технологической основе.

|Приме-няемые|Время |Информа-цион|Плотность |Энергопо- |

|элементы |выборки,мс |ная ёмкость |размещ. |требление |

| | | |информац., |при |

| | | |бит/см3 |хранении |

| | | | |информац. |

|БП VT |50[pic]300 |103[pic]105 |До 200 |Есть |

|МОП |250[pic]103 |103[pic]106 |200[pic]300 |Есть |

|структуры | | | | |

|Ферритовые |350[pic]1200|106[pic]108 |10[pic]20 |Нет |

|сердечники | | | | |

Полупроводниковые ЗУ по режиму занесения информации делятся на

оперативные и постоянные, по режиму работы – статистические и динамические,

по принципу выборки информации – на устройства с произвольной и

последовательной выборкой, по технологии изготовления – на биполярные и

униполярные.

1.2.7. Оперативные запоминающие устройства.

ОЗУ предназначены для записи, хранения и считывания двоичной

информации. Структурная схема представлена на рисунке 4.

А0[pic]Аn

[pic]/RD

DI

D0

СS

SEX

SEY

НК – накопитель; DCX, DCY – дешифраторы строк и столбцов; УЗ – устройство

записи, УС – устройство считывания, УУ – устройство управления.

Как уже отмечалось, ОЗУ можно разделить на 2 типа: статические и

динамические. В накопителях статических ОЗУ применяются триггерные элементы

памяти. В ОЗУ динамического типа запоминающим элементом служит конденсатор.

Динамические ОЗУ имеют ряд преимуществ по сравнению со статистическими ОЗУ.

Основные характеристики динамических ОЗУ:

| |I |II |III |IV |

|Наибольшая |4К |16К |64К |256К |

|ёмкость, | | | | |

|бит/кристалл | | | | |

|Время выборки |200[pic]|200[pic]30|100[pic]200 |150[pic]200 |

|считывания, мс |400 |0 | | |

|Рпотр, мВт/бит |0,1[pic]|0,04[pic]0|4 10-3[pic]5|3 10-3[pic]4|

| |0,2 |,05 |10-3 |10-3 |

Преимуществом статистических ОЗУ перед динамическими является отсутствие

схемы регенерации информации, что значительно упрощает статические ЗУ, как

правило, имеют один номинал питающего напряжения.

Типовые характеристики СЗУ:

| |ЭСЛ |ТТЛ |ТТЛШ |U2Л |пМОП |кМОП |

|Ёмкость, |256[pic|256[pic|1К[pic]|4К[pic]|4К[pic]|4К[pic]|

|бит/кристалл |] 16К |] 64К |4К |8К |16К |16К |

|Время выборки |10[pic]|50[pic]|50[pic]|150 |45[pic]|150[pic|

|считывания, мс |35 |100 |60 | |100 |] 300 |

|Рпотр , мВт/бит|2[pic]0|15[pic]|0,5[pic|0,1[pic|0,24[pi|0,02 |

| |,06 |0,03 |] 0,3 |] 0,07 |c] 0,05| |

Наибольшим быстродействием обладают биполярные ОЗУ, построенные на

основе элементов ЭСЛ, ТТЛШ. Перспективными являются ОЗУ, построенные на

транзисторных структурах U2Л, позволяющих уменьшить площадь ЗЭ до

2000[pic]100мкм2 и снизить мощность потребления до нескольких микроватт на

бит, при tвкл=50[pic]150 мс.

Статические ОЗУ на МОП транзисторах, несмотря на среднее

быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется

существенно большей плотностью размещения ячеек на кристалле, чем у БП ОЗУ.

Для рМОП удалось уменьшить геометрические размеры ЗЭ и снизить

напряжение питания до 15 В.

Для ОЗУ пМОП удалось ещё больше уменьшить геометрические размеры,

получить в 2,5 раза большую скорость переключения. Единое напряжение

питания +5В обеспечивает непосредственную совместимость таких ОЗУ по

логическим уровням с микросхемами ТТЛ.

Элементы ОЗУ на кМОП VT используются для построения статических ОЗУ

только при необходимости достижения min Рпотр. Также при переходе к режиму

хранения Рпотр уменьшается на порядок.

Для статических ОЗУ достигнута ёмкость 64 Кбит при организации 16

разрядов и времени выборки до 6 мс. Iпотр статических БП ОЗУ 100[pic]200

мА. Широко применяются схемы на кМОП-VT, среди которых наибольшее

распространение получила серия 537; Iпотр[pic]60 мА (режим обращения) и

Iпотр=0,001[pic]5 мА (хранение). В большинстве схем предусмотрен режим

хранения с пониженным Uпит=2 В. Это позволяет наиболее просто реализовать

работу ОЗУ от резервных батарей.

Динамические ОЗУ представлены в основном серией КР565 с max ёмкостью

256х1 разряд и min времени выборки 150 мс. Но необходимо постоянное

восстановление информации – регенерации, период которой составляет 1[pic]8

мс. Для регенерации нужны дополнительные схемы, что усложняет схему в

целом.

Дальнейшее рассмотрение будем вести на примере статического ОЗУ 2Кх8

с общим входом и выходом типа 537РУ10.\

1) tвыб[pic]220 мс.

2) Рпотр: хранение Uп=5В – 5,25 мВт

Uп=2В – 0,6 мВт

обращение - 370 мВт

3) Iпотр: хранение – 3 10-4 мА

обращение – 70 мА

4) Диапазон рабочих

температур - 10[pic]+[pic]С.

Усиление вх-вых сигналов до уровней ТТЛ осуществляется с помощью вых.

формирователей. Т.к. ОЗУ организовано как 2Кх8, значит необходимо

использовать АО[pic]А10 адресных линий и DO[pic]D7 линий шины данных.

Для управления функционированием схемы используется 3 вывода:

1) [pic]/RE - № 21

2) CE - № 18

3) OE - № 20

Микросхема 537РУ10 функционирует в 3 режимах:

. режим хранения данных

. режим считывания данных

. режим записи данных

Таблица истинности:

| |[pic]/R|[pic] |[pic|DO[pic]D7 |

| |E | |] | |

|Хранение |X |1 |X |Z |

|Запись |O |O |X |«0» или «1» |

|Считывание 1 |1 |O |O |«0» или «1» |

|Считывание 2 |1 |O |1 |Z |

Запись и считывание производится по 8 бит. При считывании можно

запретить вывод информации ([pic]=1). В качестве управляющих сигналов можно

использовать сигналы WR, RD, CSO (организация сигнала CSO будет рассмотрена

ниже).

|К |8 | |RAM | | | К шине данных |

|шине | |АО | | | | |

|адрес| | | | | | |

|а | | | | | | |

| |7 | | | |9 | |

| | |А1 | |D0 | | |

| |6 | | | |10 | |

| | |А2 | |D1 | | |

| |5 | | | |11 | |

| | |А3 | |D2 | | |

| |4 | | | |13 | |

| | |А4 | |D3 | | |

| |3 | | | |14 | |

| | |А5 | |D4 | | |

| |2 | | | |15 | |

| | |А6 | |D5 | | |

| |1 | | | |16 | |

| | |А7 | |D6 | | |

| |23 | | | |17 | |

| | |А8 | |D7 | | |

| |22 | | | | | |

| | |А9 | | | | |

| |19 | | | | | |

| | |А10 | | | | |

|WR |21 |WE/R| | |24 | |

| | |E | |Uп | | |

|RD |20 | | | |12 | |

| | |OE | |GND | | |

|CSO |18 | | | | | |

| | |CE | | | | |

1.2.8. Постоянное запоминающее устройство.

Структурная схема ПЗУ аналогична структурной схеме ОЗУ, только

отсутствует устройство записи, т.к. после программирования ПЗУ, информация

из него только считывается.

Основные характеристики восьми типов ПЗУ приведены ниже:

|Параметр |ЭСЛ |ТТЛ |ттлш |рмоп |пмоп |кмоп |лиз |

| | | | | | | |моп |

|Ёмкость, |256[pi|1К[pic|1К[pic|4К[pic|8К[pic|64К |256 К |

|бит/ |c] 1К |] 64 К|] 64 К|] 8К |] 64 К| | |

|кристалл | | | | | | | |

|Рпотр, |0,8 |0,01[p|0,01[p|0,1 |0,01 |5 10-3|2 10-3|

|мВт/бит | |ic] |ic] | | | | |

| | |0,5 |0,1 | | | | |

|tсчит, мс |20 |50[pic|45[pic|500 |30 |50 |200 |

| | |] 350 |]85 | | | | |

Для потребителей выбор типа ПЗУ во многом определяется не только

электрическими параметрами этой большой ИС, но и способами её

программирования. ПЗУ могут программироваться, как у потребителя, так и на

предприятии –изготовителе. Существуют ПЗУ однократного и многократного

программирования.

Наиболее универсальными являются перепрограммирования ПЗУ, которые

изготовляются на основе МОП-структур и ЛИЗМОП. Ёмкость таких РПЗУ достигает

256 кбит с организацией 32х2. Информация стирается с помощью УФ-облучения

кристалла. В накопителях РПЗУ используются специальные типы VT-структур,

которые изменяют свои характеристики при программировании РПЗУ. Это

изменение характеристик и служит признаком хранящейся информации. Время

выборки считывания таких РПЗУ широкое распространение получила серия 573.

Свой выбор я остановил на РПЗУ 8к х 8 типа 573РФ4:

1) tхр не менее 25000 ч.

2) число циклов не менее 25.

перепрограммирования (Т=[pic]С).

3) Uп – 5 В

Uпрогр – 5 В (считывание)

21,5 В (программирование).

4) Рпотр – не более 420 мВт.

5) tвыб.адреса – не более 300[pic]450 мс.

tвыб.разр. – не более 120[pic]150 мс.

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7