Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на биполярных транзисторах
Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на биполярных транзисторах
РАСЧЕТ КОРРЕКТИРУЮЩИХ ЦЕПЕЙ ШИРОКОПОЛОСНЫХ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ НА
БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Цель работы – получение законченных аналитических выражений для
расчета коэффициента усиления, полосы пропускания и значений элементов
корректирующих цепей наиболее известных и эффективных схемных решений
построения усилительных каскадов на биполярных транзисторах (БТ).
Основные результаты работы – вывод и представление в удобном для
проектирования виде расчетных соотношений для усилительных каскадов с
простой индуктивной и истоковой коррекциями, с четырехполюсными
диссипативными межкаскадными корректирующими цепями четвертого
порядков, для входной и выходной корректирующих цепей. Для всех
схемных решений построения усилительных каскадов на БТ приведены
примеры расчета.
ВВЕДЕНИЕ
В теории усилителей нет достаточно обоснованных доказательств
преимущества использования того либо иного схемного решения при разработке
конкретного усилительного устройства. В этой связи проектирование
широкополосных усилителей во многом основано на интуиции и опыте
разработчика. При этом, разные разработчики, чаще всего, по-разному решают
поставленные перед ними задачи, достигая требуемых результатов. Данная
работа предназначена для начинающих разработчиков широкополосных усилителей
и содержит: наиболее известные и эффективные схемные решения построения
широкополосных усилительных каскадов на БТ; соотношения для их расчета по
заданным требованиям; примеры расчета. Поскольку, как правило,
широкополосные усилители работают в стандартном 50 либо 75-омном тракте,
соотношения для расчета даны исходя из условий, что оконечные каскады
усилителей работают на чисто резистивную нагрузку, а входные каскады
усилителей работают от чисто резистивного сопротивления генератора.
1. ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ ДЛЯ РАСЧЕТА
В соответствии с [1, 2, 3], приведенные ниже соотношения для расчета
усилительных каскадов основаны на использовании эквивалентной схемы
замещения транзистора приведенной на рисунке 1.1, либо на использовании его
однонаправленной модели [2, 3] приведенной на рисунке 1.2.
[pic]
Рисунок 1.1 - Эквивалентная схема Джиаколетто
[pic]
Рисунок 1.2 - Однонаправленная модель
Значения элементов схемы Джиаколетто могут быть рассчитаны по
паспортным данным транзистора по следующим формулам [1]:
[pic] [pic] [pic]
[pic]
[pic]=3 - для планарных кремниевых транзисторов,
[pic]=4 - для остальных транзисторов,
[pic]; [pic]; [pic];
где [pic] - емкость коллекторного перехода; [pic] - постоянная времени цепи
обратной связи; [pic] - статический коэффициент передачи тока в схеме с
общим эмиттером; [pic] - граничная частота коэффициента передачи тока в
схеме с общим эмиттером; [pic] - ток эмиттера в рабочей точке в
миллиамперах.
В справочной литературе значения [pic] и [pic] часто приводятся
измеренными при различных значениях напряжения коллектор-эмиттер [pic].
Поэтому при расчетах [pic] значение [pic] следует пересчитать по формуле
[1]
[pic],
где [pic] - напряжение [pic], при котором производилось измерение [pic];
[pic] - напряжение [pic], при котором производилось измерение [pic].
Поскольку [pic] и [pic] оказываются много меньше проводимости нагрузки
усилительных каскадов, в расчетах они обычно не учитываются.
Элементы схемы замещения приведенной на рисунке 1.2 могут быть
рассчитаны по следующим эмпирическим формулам [4]:
[pic], [pic], [pic], [pic],
где [pic] - индуктивность вывода базы; [pic] - индуктивность вывода
эмиттера; [pic] - предельное значение напряжения [pic]; [pic] - предельное
значение постоянного тока коллектора.
При расчетах по эквивалентной схеме, приведенной на рисунке 1.2, вместо
[pic] используют параметр [pic] - коэффициент усиления транзистора по
мощности в режиме двухстороннего согласования [2], равный:
[pic]=[pic] (1.1)
где [pic] - частота, на которой коэффициент усиления транзистора по
мощности в режиме двухстороннего согласования равен единице; [pic] -
текущая частота.
2 РАСЧЕТ НЕКОРРЕКТИРОВАННОГО КАСКАДА С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ
2.1 ОКОНЕЧНЫЙ КАСКАД
Схема каскада по переменному току приведена на рисунке 1.3, где [pic] -
сопротивление нагрузки; [pic] - сопротивление в цепи коллектора.
[pic]
Рисунок 2.1 - Схема оконечного некорректированного каскада.
При отсутствии реактивности нагрузки, полоса пропускания каскада
определяется параметрами транзистора. В соответствии с [1] коэффициент
усиления каскада в области верхних частот можно описать выражением:
[pic],
где [pic]; (1.2)
[pic] (1.3)
[pic]; (1.4)
[pic]; (1.5)
[pic][pic].
При заданном уровне частотных искажений
[pic],
верхняя частота [pic] полосы пропускания каскада равна:
[pic]=[pic]. (1.6)
Входное сопротивление каскада может быть аппроксимировано параллельной
RC цепью [1]:
[pic]; (1.7)
[pic]=[pic] (1.8)
Пример 1.1. Рассчитать [pic], [pic], [pic], [pic] каскада, приведенного
на рисунке 1.3 при использовании транзистора КТ610А ([pic]=5 Ом, [pic]=1
Ом, [pic]=0,0083 Сим, [pic]=4 пФ, [pic]=160 пФ, [pic]=1 ГГц, [pic]=120,
[pic]=0,95 А/В, [pic]=0,99, [pic]=55 мА), и условий: [pic]=50 Ом;
[pic]=0,9; [pic]=10.
Решение. По известным [pic] и [pic] в соответствии с (1.2) имеем
[pic]=10,5 Ом. Зная [pic] находим [pic]=13,3 Ом. По формуле (1.3) найдем
[pic]=1,03(10-9с. Подставляя известные [pic] и [pic] в соотношение (1.6)
получим [pic]=74,9 МГц. По формулам (1.7) и (1.8) определим [pic]=196 пФ,
[pic]=126 Ом.
2.2 ПРОМЕЖУТОЧНЫЙ КАСКАД
Схема каскада по переменному току приведена на рисунке 1.4, где [pic]-
сопротивление в цепи коллектора; [pic], [pic]- входное сопротивление и
входная емкость нагружающего каскада.
[pic]
Рисунок 2.2 - Схема промежуточного некорректированного каскада.
В соответствии с [1] коэффициент усиления каскада в области верхних
частот описывается выражением:
[pic],
где [pic]= [pic]([pic] (1.9)
[pic] (1.10)
[pic]=[pic]. (1.11)
Значения [pic], [pic], [pic] каскада рассчитываются по формулам (1.6),
(1.7), (1.8).
Пример 2. Рассчитать [pic], [pic], [pic], [pic] каскада приведенного на
рисунке 1.4 при использовании транзистора КТ610А (данные транзистора
приведены в примере 1.1) и условий [pic]=0,9; [pic]=10; [pic], [pic] - из
примера 1.
Решение. По известным [pic] и [pic] из (1.9) получим [pic]=10.5 Ом.
Зная [pic] из (1.11) найдем [pic]=11,5 Ом. По формуле (1.10) определим
[pic]=3(10-9 с. Подставляя известные [pic], [pic] в соотношение (1.6)
получим [pic]=25,5 МГц. По формулам (1.7) и (1.8) определим [pic]=126 Ом,
[pic]=196 пФ.
3 РАСЧЕТ КАСКАДА С ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ИНДУКТИВНОЙ КОРРЕКЦИЕЙ
3.1 ОКОНЕЧНЫЙ КАСКАД
Схема каскада по переменному току приведена на рисунке 3.1.
[pic]
Рисунок 3.1 - Схема оконечного каскада с высокочастотной индуктивной
коррекцией.
При отсутствии реактивности нагрузки высокочастотная (ВЧ) индуктивная
коррекция вводится для коррекции искажений АЧХ вносимых транзистором. В
соответствии с [1] коэффициент усиления каскада в области верхних частот,
при оптимальном значении [pic]равном
[pic], (1.12)
описывается выражением
[pic],
где [pic]=[pic]([pic]; (1.13)
[pic]=[pic]; 1.14)
[pic]=[pic]; (1.15)
[pic] (1.16)
[pic]и [pic]определяются выражениями (1.4) и (1.5).
При заданном [pic], [pic] каскада равна:
[pic] =[pic]. (1.17)
Значения [pic], [pic] каскада рассчитываются по формулам (1.7), (1.8).
Пример 3 Рассчитать [pic], [pic], [pic], [pic], [pic] каскада с ВЧ
индуктивной коррекцией, схема которого приведена на рисунке 3.1, при
использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере 1)
и условий [pic]=0,9; [pic]=10; [pic]=50 Ом.
Решение. По известным [pic] и [pic] из (1.13) получим [pic]=10,5 Ом.
Зная [pic] из (1.14) найдем [pic]=13,3 Ом. Рассчитывая [pic] по (1.16) и
подставляя в (1.12) получим [pic]=13,7(10-9 Гн. Определяя (к по (1.15) и
подставляя в (1.17) определим [pic]=350 МГц. По формулам (1.7), (1.8)
найдем [pic]=196 пФ, [pic]=126 Ом.
3.2 ПРОМЕЖУТОЧНЫЙ КАСКАД
Схема каскада по переменному току приведена на рисунке 3.2.
[pic]
Рисунок 3.2 - Схема промежуточного каскада с высокочастотной индуктивной
коррекцией
В соответствии с [1] коэффициент усиления каскада в области верхних
частот, при оптимальном значении [pic] равном
[pic]= [pic]([pic], (1.18)
определяется выражением:
[pic]
где [pic]=[pic]([pic]; (1.19)
[pic] =[pic]; (1.20)
[pic]=[pic]; (1.21)
[pic]=[pic], (1.22)
[pic] и [pic] определяются выражениями (1.4), (1.5). Значения [pic], [pic],
[pic] каскада рассчитываются по формулам (1.17), (1.7), (1.8).
Пример 4. Рассчитать [pic], [pic], [pic], [pic],[pic] каскада с ВЧ
индуктивной коррекцией, схема которого приведена на рисунке 3.2, при
использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере
1.1) и условий: [pic]=0,9; [pic]=10; [pic], [pic]- из примера 3.
Решение. По известным [pic] и [pic] из (1.19) получим [pic]=10,5 Ом.
Зная [pic] из (1.20) найдем [pic]=11,5 Ом. Рассчитывая [pic] по (1.22) и
подставляя в (1.18) получим [pic]=34,7(10-9 Гн. Определяя [pic]по (1.21) и
подставляя в (1.17) определим [pic]=308 МГц. По формулам (1.7), (1.8)
найдем [pic]=196 пФ, [pic]=126 Ом.
4 РАСЧЕТ КАСКАДА С ЭМИТТЕРНОЙ КОРРЕКЦИЕЙ
4.1 ОКОНЕЧНЫЙ КАСКАД
Схема каскада по переменному току приведена на рисунке 4.1.
[pic]
Рисунок 4.1. Схема оконечного каскада с эмиттерной коррекцией
При отсутствии реактивности нагрузки эмиттерная коррекция вводится для
коррекции искажений АЧХ, вносимых транзистором, увеличивая амплитуду
напряжения эмиттер-база с ростом частоты. В соответствии с [1], модуль
коэффициента усиления каскада в области верхних частот, при выборе
элементов коррекции [pic], [pic] соответствующими оптимальной по Брауде
АЧХ, описывается выражением
[pic], (1.23)
где [pic][pic];
[pic]=[pic]; (1.24)
[pic] - глубина ООС; (1.25)
[pic]; (1.26)
[pic]; (1.27)
[pic] (1.28)
При заданном значении [pic], оптимальное значение [pic] определяется
выражением
[pic] . (1.29)
Подставляя [pic] и [pic] в (1.23) можно получить:
[pic], (1.30)
где [pic].
Входное сопротивление каскада с эмиттерной коррекцией может быть
аппроксимировано параллельной RC-цепью [1].
[pic]; (1.31)
[pic]. (1.32)
Пример 5. Рассчитать [pic], [pic], [pic], [pic], [pic] каскада с
эмиттерной коррекцией схема которого приведена на рисунке 4.1, при
использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере 1)
и условий [pic]=0,9; [pic]=10; [pic] = 50 Ом.
Решение. По известным [pic], [pic] и [pic] из (5.2) получим [pic]=4,75.
Подставляя [pic] в (1.25) и (1.29) найдем [pic]=4 Ом; [pic]=1,03.
Рассчитывая [pic] по (1.28) и подставляя в (1.26), (1.27) получим
[pic]=50,5 пФ. По известным [pic], [pic], [pic], [pic] и [pic] из (1.30)
определим [pic]= 407 МГц. По формулам (1.31), (1.32) найдем [pic]= 71 пФ,
[pic]= 600 Ом.
4.2 ПРОМЕЖУТОЧНЫЙ КАСКАД
Схема каскада по переменному току приведена на рисунке 1.10.
[pic]
Рисунок 4.2. Схема промежуточного каскада с эмиттерной
коррекцией
В соответствии с [1] модуль коэффициента усиления каскада в области
верхних частот, при выборе элементов коррекции соответствующими оптимальной
по Брауде АЧХ, описывается выражением (1.23). В данном случае, при заданном
значении [pic], оптимальное значение [pic] определяется из соотношения:
[pic], (1.33)
где [pic].
Значения [pic], [pic], [pic] каскада рассчитываются по формулам (1.30),
(1.31), (1.32), при этом в (1.24), (1.28) и (1.31) величина [pic]
заменяется на [pic].
Пример 6. Рассчитать [pic], [pic], [pic], [pic], [pic] каскада с
эмиттерной коррекцией, схема каскада приведена на рисунке 4.2, при
использовании транзистора КТ610А (данные транзистора приведены в примере 1)
и условий: [pic]=0,9; [pic]=10; [pic]=71,5 пФ; [pic]=300 Ом
(предполагается, что нагрузкой данного каскада является входное
сопротивление каскада рассчитанного в примере 5, а в коллекторе транзистора
стоит резистор с номиналом 600 Ом.
Решение. По известным [pic], [pic] и [pic] из (1.24) получим
[pic]=28,5. Подставляя [pic] в (1.25) найдем [pic]=29 Ом. Зная [pic] и
[pic], по (1.33) определим [pic]=0,76. Рассчитывая [pic] по (1.28) и
подставляя в (1.26), (1.27) получим [pic]=201 пФ. По известным [pic],
[pic], [pic], [pic], [pic] из (1.30) определим [pic]=284 МГц. По формулам
(1.31), (1.32) найдем [pic]=44 пФ; [pic]=3590 Ом.
5 КОРРЕКЦИЯ ИСКАЖЕНИЙ ВНОСИМЫХ ВХОДНОЙ ЦЕПЬЮ
5.1 РАСЧЕТ ИСКАЖЕНИЙ ВНОСИМЫХ ВХОДНОЙ ЦЕПЬЮ
Схема входной цепи каскада по переменному току приведена на рисунке
5.1, где [pic] - внутреннее сопротивление источника сигнала.
[pic]
Рисунок 5.1. Схема входной цепи некорректированного каскада
При условии аппроксимации входного сопротивления каскада параллельной
RC-цепью, коэффициент передачи входной цепи в области верхних частот
описывается выражением [1]:
[pic],
где [pic]=[pic] (1.34)
[pic]=[pic]; (1.35)
[pic]=[pic];
[pic]=[pic];
Значение [pic] входной цепи рассчитывается по формуле (1.6).
Пример 7. Рассчитать [pic] и [pic] входной цепи приведенной на рисунке
5.1, при работе каскада на транзисторе КТ610А (данные транзистора приведены
в примере 1.1) от генератора с [pic]=50 Ом и при [pic]=0,9.
Решение. Из примера 1 имеем: [pic]=126 Ом, [pic]=196 пФ. По формуле
(1.34) получим: [pic]=0,716, а по формуле (1.35): [pic]=7(10-9 с.
Подставляя известные [pic] и [pic] в (1.6) найдем: [pic]=11 МГц.
5.2 РАСЧЕТ ВХОДНОЙ КОРРЕКТИРУЮЩЕЙ ЦЕПИ
Из приведенных выше примеров расчета видно, что наибольшие искажения
АЧХ обусловлены входной цепью. Для расширения полосы пропускания входных
цепей в [5] предложено использовать схему, приведенную на рисунке 5.2.
[pic]
Рисунок 5.2. Схема коррекции входной цепи
Работа схемы основана на увеличении сопротивления цепи [pic] с ростом
частоты для компенсации шунтирующего действия входной емкости каскада. При
заданном значении [pic] и выборе [pic], соответствующей оптимальной по
Брауде АЧХ, модуль коэффициента передачи входной цепи описывается
выражением:
[pic],
где [pic]; (1.42)
[pic];
[pic];
[pic];
[pic]; (1.43)
[pic], [pic] - входное сопротивление и входная емкость каскада.
При заданном значении [pic], [pic] входной цепи равна:
[pic], (1.44)
где [pic].
Пример 1.8. Рассчитать [pic], [pic], [pic] входной цепи приведенной на
рисунке 5.2 при работе на каскад с параметрами, данными в примере 7, при
уменьшении [pic] за счет введения [pic] в пять раз по сравнению с
некорректированной входной цепью, и при [pic]=50 Ом, [pic]=0,9.
Решение. Из примера 7 имеем: [pic]=126 Ом; [pic]=196 пф; [pic]=0,716.
Из соотношения (1.42) и условий задачи получим: [pic]=10 Ом. Подставляя
[pic] в (1.43) найдем: [pic]=7,54 нГн. Подставляя результаты расчета в
(1.44), получим: [pic]=108 МГц. Используя соотношения (1.6), (1.41)
определим, что при простом шунтировании каскада резистором [pic]=10 Ом
[pic] каскада оказывается равной 50 МГц.
5.3 РАСЧЕТ КАСКАДА С ПАРАЛЛЕЛЬНОЙ ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ
Для исключения потерь в усилении, обусловленных использованием входной
корректирующей цепи (см. раздел 5.2), в качестве входного каскада может
быть использован каскад с параллельной ООС, схема которого приведена на
рисунке 5.3.
[pic]
[pic], [pic] - входные сопротивление и емкость нагружающего каскада
Рисунок 5.3 Схема каскада с параллельной ООС
Особенностью схемы является то, что при большом значении [pic] и
глубокой ООС ([pic] мало) в схеме, даже при условии [pic]=0, появляется
выброс на АЧХ в области верхних частот. Поэтому расчет каскада следует
начинать при условии:[pic]=0. В этом случае коэффициент усиления каскада в
области верхних частот определяется выражением:
Страницы: 1, 2
|