МЕНЮ


Фестивали и конкурсы
Семинары
Издания
О МОДНТ
Приглашения
Поздравляем

НАУЧНЫЕ РАБОТЫ


  • Инновационный менеджмент
  • Инвестиции
  • ИГП
  • Земельное право
  • Журналистика
  • Жилищное право
  • Радиоэлектроника
  • Психология
  • Программирование и комп-ры
  • Предпринимательство
  • Право
  • Политология
  • Полиграфия
  • Педагогика
  • Оккультизм и уфология
  • Начертательная геометрия
  • Бухучет управленчучет
  • Биология
  • Бизнес-план
  • Безопасность жизнедеятельности
  • Банковское дело
  • АХД экпред финансы предприятий
  • Аудит
  • Ветеринария
  • Валютные отношения
  • Бухгалтерский учет и аудит
  • Ботаника и сельское хозяйство
  • Биржевое дело
  • Банковское дело
  • Астрономия
  • Архитектура
  • Арбитражный процесс
  • Безопасность жизнедеятельности
  • Административное право
  • Авиация и космонавтика
  • Кулинария
  • Наука и техника
  • Криминология
  • Криминалистика
  • Косметология
  • Коммуникации и связь
  • Кибернетика
  • Исторические личности
  • Информатика
  • Инвестиции
  • по Зоология
  • Журналистика
  • Карта сайта
  • Электронные цепи и приборы (шпаргалка)

    сопротивлении Rбэ резистора, включенного между базой и эмиттером;

    емкости переходов Сэ, Ск при заданных обратных напряжениях (емкость Сэ

    часто приводится также при Uбэ=0).

    Корме перечисленных выше общих электрических параметров в зависимости от

    назначения транзистора указывают ряд специфических параметров.

    Для усилительных и генераторных транзисторов помимо граничной частоты

    обычно приводятся постоянная времени цепи обратной связи ?к при заданных

    напряжении Uкб, токе Iэ и частоте f, а также максимальная частота генерации

    fmax при заданных напряжении Uкб, токе Iэ.

    Зная значение ?к, можно оценить коэффициент обратной связи |h21Э( f )|=2 ?

    f ?к.

    Для переключающих и импульсных транзисторов указывают напряжения в режиме

    насыщения Uбэ нас, и Uкэ нас, и время рассасывания tрас, при заданных токах

    Iк нас, и IБ.

    V Под током IБ надо понимать включающий ток базы IБ1. Запирающий ток IБ2,

    если он не указан особо, равен току IБ1.

    Для СВЧ-транзисторов часто указывают коэффициент усиления мощности КР на

    заданной частоте, а также индуктивности и емкости выводов.

    Предельные эксплуатационные параметры – это максимально допустимые значения

    напряжений, токов, мощности и температуры, при которых гарантируются

    работоспособность транзистора и значения его электрических параметров в

    пределах норм технических условий. К предельным эксплуатационным параметрам

    относятся:

    максимально допустимые обратные напряжения на переходах Uкб max, Uэб max,

    максимально допустимое напряжение Uкэ max в схеме ОЭ при заданном

    сопротивлении Rбэ внешнего резистора, подключенного между базой и

    эмиттером;

    максимально допустимая рассеиваемая мощность Pmax;

    максимально допустимый ток коллектора Iк max;

    максимально допустимая температура корпуса TКmax.

    Помимо этого указывается диапазон рабочих температур.

    21. Тиристоры.

    Тиристорами (Т) назыв. большое семейство полупроводн. приборов, кот.

    обладают бистабильными характ-ками и способны переключаться из одного сост.

    в другое. В одном сост. Т имеет высокое R и малый I (закр., или выключ.

    состояние), в другом – низкое R и большой I (откр., или вкл. сост.).

    Принцип действия Т тесно связан с принципом действия бип. транз-ра, в кот.

    и электроны, и дырки участвуют в механизме проводимости. Название

    «тиристор» произошло от слова «тиратрон», поскольку электрические хар-ки

    обоих приборов во многом аналогичны.

    Благодаря наличию двух устойчивых состояний и низкой мощности рассеяния в

    этих состояниях Т обладают уникальными полезными св-вами, позволяющими

    использовать их для решения широкого диапазона задач (от регулирования

    мощности в домашних бытовых электроприборах до переключения и

    преобразования энергии в высоковольтных линиях электропередачи). В

    настоящее время созданы Т, работающие при I от нескольких mA до 5000А и

    выше и при напряжениях, превышающих 10000В.

    Параметры тиристора:

    Напряж. включения Uвкл – это прямое анодное U, при котором Т переходит из

    закр. в откр. состояние при разомкнутом управляющем выводе.

    Ток включ. Iвкл – это такое значение прямого анодного I ч/з Т, выше

    которого Т переключ-ся в откр. сост. при разомкнутой цепи управляющего

    вывода.

    Отпирающий ток управления Iу.вкл – наименьший I в цепи управляющего вывода,

    кот. обеспечивает переключение Т в откр. сост. при данном U на Т.

    Время задержки tз – время, в течение кот. анодный I через Т возрастает до

    величины 0,1 установившегося значения с момента подачи на тир-р

    управляющего импульса.

    Время включения tвкл – время, в течение кот. I ч/з Т возрастает до 0,9

    установившегося значения с момента подачи на Т управляющего импульса.

    Остаточное напряжение Uпр – значение напряж. на Т, находящемся в откр.

    сост., при прохожд. ч/з него максимально допустимого I. Uпр обычно не

    превышает 2В.

    Ток выключения Iвыкл – значение прямого I ч/з Т при разомкнутой цепи

    управления, ниже кот. тир-р выключается.

    Время выключения tвыкл – время от момента перемены I, проходящего ч/з Т, с

    прямого на обратный до момента, когда Т полностью восстановит запирающую

    способность в прямом направлении.

    Т широко прим. в радиолокации, уст-вах радиосвязи, автоматике, как приборы

    с отрицательной проводимостью, управляемые ключи, пороговые элементы,

    триггеры, не потребляющие I в исходном состоянии.

    23. Однопереходный транзистор.

    Однопереходный тр-р представляет собой полупроводниковый прибор с одним р-п

    переходом, в котором модуляция сопротивления полупроводника вызвана

    инжекцией носителей р-п переходом.

    ОТ изготавливают из пластины высокоомного полупроводника с

    электропроводностью п-типа, он имеет 2 невыпрямляющих контакта к п-области

    и р-п переход, расположенный между ними.

    [pic]

    рис. 1. Схема включения однопереходного тр-ра.

    Согласно схеме структуры ОТ принимается следующая терминология: электрод от

    выпрямляющего контакта – эмиттер, электрод от нижнего невыпрямляющего

    контакта - первая база (Б1) и электрод от верхнего невыпр. контакта -

    вторая база (Б2). В некоторых случаях ОТ наз. базовым диодом.

    На рис. 2 приведем ВАХ ОТ.

    [pic]

    рис. 2. Входная ВАХ однопереходного тр-ра (1 – характеристика при

    отключенной базе).

    При откл. Б2 хар-ка выглядит аналогично хар-ке обычного диода.

    В триодном включении при большом U между невыпрямляющими контактами Б1 и Б2

    переход заперт как при отриц. так и при положит. напряж. Uэ, не превышающих

    величины внутреннего напряжения UэБ1. Этому режиму соотв. участок хар-ки А-

    Б на рис. 2, аналогичный хар-ке обрат. вкл. р-п перехода.

    При напряж на вх. Uэ=UэБ1 переход отпирается. Падающий участок ВАХ

    соответств. резкому падению напряж. на вх. Uэ при возрастающем токе Iэ

    (участок Б-В на рис. 2). Напряжение в точке максимума определяется из

    выражения Umax ? (Eб·R1) / (R1+R2).

    24. Полевой транзистор с р-n переходом.

    Полевым тр-ром (ПТ) наз. полупроводн. прибор, усилительные св-ва кот.

    обусловлены потоком основных носителей, протекающим ч/з проводящий канал,

    управляемый электрическим полем. Действие ПТ обусловлено носителями заряда

    одной полярности.

    [pic]

    Характерной особенностью ПТ явл. высокий коэфф. усиления по напряж. и

    высокое Uвх.

    Исток (И) – это вывод ч/з кот. основные носители входят в канал.

    Сток (С) – вывод ч/з кот. основные носители выходят из канала.

    И и С соед-тся токопроводящим каналом.

    Затвор (З) – ч/з него создается эл. поле, кот. управляет шириной канала, а

    значит током. В ПТ З выполнен в виде обратно включенного р-п перехода.

    На С прилагается U такой полярности, чтобы основные носители из канала

    двигались от истока к стоку.

    На З прилагается U такой полярности, чтобы р-п переход был вкл. в обр.

    направл. Если U на З равно 0, канал имеет некоторую ширину ч/з кот.

    основные носители – дырки переходят от И к С и создается Ic. Если обратн. U

    на З увеличивать, тогда ширина р-п перехода увелчив-ся, а канал сужается, и

    до С дойдет меньшее кол-во основн. носит. Ic уменш-ся.

    Чем больше U затвора, тем больше ширина р-п перехода, канал сужается, и ток

    С уменьшается. При большом U затвора канал может перекрыться и ток С равен

    нулю.

    ВАХ полевого тр-ра.

    1. Стоко-затворные (проходные хар-ки).

    Iс = f (Uз) при Uс = const.

    [pic]

    Рис. 1. Входная характеристика.

    ПТ имеют большие Rвх, т.к. во входной цепи имеется затвор с очень большим

    сопрот.

    Uз = 0, канал самый широкий и Iс самый большой. Если Uз увеличивается, то

    канал сужается и Iс уменьшается. Uз при кот. канал перекрывается и Ic = 0

    наз. напряж. отсечки.

    2. Стоковые (выходные хар-ки).

    Iс = f (Uс) при Uз = 0.

    [pic]

    Рис. 2. Выходная характеристика.

    Uз = 0 канал самый широкий Ic самый большой и ВАХ располагается выше. Если

    Uз растет, то канал сужается и ВАХ пойдут ниже, т.к. Ic уменьшается. Если

    Uc = 0, то Ic = 0 и ВАХ начинаются с нуля. Если Uc увеличивается, то Ic

    сначала резко возраст., потом рост тока замедляется.

    ПТ хар-ся следующими основн. параметрами: крутизна проходной характеристики

    – S

    S = ?Ic / ?Uз ,

    сопротивление С-И – Rси ,

    максимальная частота – fmax .

    25. Полевой тр-р с изолированным затвором с индуцированным каналом.

    ПТ с изолир. затвором – это такие тр-ры, затвор которых изолирован от

    проводящего канала материалом диэлектрика или окисью кремния. Т.о. по

    структуре конструктивно получается, затвор – металлический слой, проводящий

    канал – полупроводник, изолятор – диэлектрик. По технологическому принципу

    изготовления различают 2 типа таких тр-ров: с индуцированным и со

    встроенным каналом.

    ПТ с индуц. каналом – это такие тр-ры, в начальный момент которого

    проводящий канал между стоком и истоком отсутствует. Такой канал образуется

    в результате приложения напряжения на затворе (индуцируется) (рис. 1).

    [pic]

    рис. 1.

    Ic=f (Uз), при Uc=const.

    Uз=0, канал между С и И отсутствует, а значит ток стока очень маленький

    приблизительно равен нулю. Пусть на затворе подается отриц. напряж., тогда

    электроны из п-области отталкиваются от отриц. затвора, а дырки

    притягиваются. В результате между С и И появляется слой с

    электропроводностью р-типа, кот. служит каналом, а значит ток ч/з канал

    растет. Чем больше отриц. напряж. (-Uз), тем больше дырок притягивается к

    каналу, канал расширяется, Ic увеличивается. Хар-ки смещаются вверх.

    Режим работы при котором канал расширяется и Ic увеличивается, наз. режимом

    обогащения. Т.о. в таком ПТ канал появляется только в определенных

    условиях, поэтому тр-р называется и индуцированным каналом.

    Параметры полевого транзистора.

    1. внутреннее сопротивление:

    Ri = ?Uc / ?Ic , при Uз = const.

    2. крутизна характеристики:

    S = ?Ic / ?Uз , при Uс = const.

    3. коэффициент усиления:

    K = Ri·S.

    4. мощность рассеивания:

    Pc = Ic рт·Uc рт.

    26. Полевой тр-р с изолированным затвором с встроенным каналом.

    ПТ с изолир. затвором – это такие тр-ры, затвор которых изолирован от

    проводящего канала материалом диэлектрика или окисью кремния. Т.о. по

    структуре конструктивно получается, затвор – металлический слой, проводящий

    канал – полупроводник, изолятор – диэлектрик. По технологическому принципу

    изготовления различают 2 типа таких тр-ров: с индуцированным и со

    встроенным каналом.

    ПТ со встроенным каналом – это такие тр-ры, у кот. при их изготовлении уже

    проводящий канал между истоком и стоком есть.

    [pic]

    рис. 1.

    В таком тр-ре канал выполняется уже в процессе изготовления.

    Uз = 0, U > 0(+), U < 0(-).

    Uз = 0, – между стоком и истоком уже существует канал и Ic имеет некоторое

    значение.

    U < 0, – электроны из канала отталкиваются, а дырки притягиваются. В

    результате канал обедняется основными носителями - режим обеднения. Канал

    сужается, Ic уменьшается и хар-ки смещаются вниз.

    U > 0, – дырки отталкиваются от канала, а электроны притягиваются. Канал

    обогащается основными носителями. Он расширяется и Ic увеличивается,

    характеристики смещаются вверх.

    Параметры полевого транзистора.

    1. внутреннее сопротивление:

    Ri = ?Uc / ?Ic , при Uз = const.

    2. крутизна характеристики:

    S = ?Ic / ?Uз , при Uс = const.

    3. коэффициент усиления:

    K = Ri·S.

    4. мощность рассеивания:

    Pc = Ic рт·Uc рт.

    27. Триод.

    Триодом (Т) называют трехэлектродный электровакуумный прибор, имеющий

    катод, анод и сетку. Сетка – это электрод, кот. обычно выполнен в виде

    проволочной спирали и располагается в непосредственной близости от

    поверхности катода. Основное назначение С воздействовать на значение

    объемного заряда у катода и управлять электронным потоком, поэтому ее часто

    называют управляющей. На С относительно катода может подаваться как

    положит. так и отриц. потенциал. В качестве общего электрода, в триоде

    может выступать катод, сетка или анод. В соответствии с этим и схемы

    включения Т называются схемой с заземленным (общим) катодом, сеткой или

    анодом.

    [pic]

    +Uc, электроны ускоряются и дойдут быстрее до анода. Ток анода растет.

    -Uc, электроны тормозятся, не все дойдут до анода. Ток анода уменьшается.

    Триоды можно применять как мощные усилители и генераторы в передающих

    устройствах, энергетических и электротехнических промышленных установках.

    30. Кинескопы.

    Кинескоп – это электронно-лучевая телевизионная трубка, предназначенная для

    приема изображений. Электронный прожектор, используемый в кинескопах

    строится по 3х-линзовой схеме. Первый анод имеет больше диаметр, чем рядом

    расположенные, ускоряющий электрод и второй анод. Благодаря такой

    конструкции ток первого анода близок к нулю, что не изменяет фокусировку

    электронного луча при регулировании напряжения на модуляторе.

    Для покрытия экранов в кинескопах обычно используют механическую смесь

    желтого и голубого люминофоров. Баллон (колба) кинескопа – весьма

    ответственная часть конструкции, определяющая, многие эксплуатационные

    характеристики трубки. Давление воздуха на экран очень велико, поэтому для

    обеспечения высокой механической прочности в целях безопасности экран

    выполняют из стекла толщиной до 10 мм.

    Для подачи высокого напряжения на второй анод прожектора внутреннюю

    поверхность колбы покрывают аквадагом (проводящим графитовым слоем).

    Наружная поверхность трубок в широкой части часто тоже покрывают аквадагом.

    Внутреннее и внешнее покрытие электрически изолированы друг от друга, и

    образуют конденсатор фильтра высоковольтного выпрямителя.

    28. Электронн. лампы. Тетрод. Принцип действия. Основные характеристики и

    параметры. Применение.

    Многоэлектродные лампы (МЛ) – это электронные лампы с общим электронным

    потоком, содержащие анод, катод и сетки. К МЛ относят тетроды, в том числе

    и лучевые, пентоды, частотопреобразовательные лампы и лампы специального

    назначения.

    [pic]

    рис. 1.

    В тетроде на характеристике имеется завал, который называется динатронным

    эффектом (ДЭ). ДЭ возникает при Ua < Uc2. Он обусловлен потоком вторичных

    электронов с анода на экранирующую сетку, в результате чего анодный ток

    тетрода уменьшается, а ток экранирующей сетки увеличивается. ДЭ приводит к

    качественному изменению характеристик Ia = f (Ua) и Ic2 = ? (Ua) тетрода.

    Дальше, когда Ua становится больше Uc2, то вторичные электроны остаются на

    аноде и характеристика выпрямляется.

    Тетрод применяется для усиления электрических сигналов. Сетка С2 уменьшает

    проходную емкость, значит можно использовать лампу на более высоких

    частотах.

    Параметры многоэлектродных ламп.

    1. крутизна анодно-сеточной характеристики отражает зависимость анодного

    тока тетрода или пентода от напряжения Uc1, при условии постоянства всех

    остальных напряжений

    S = dIa / dUc1, (Uc2, Ua = const)

    (для пентода так же Uc3 = const).

    2. дифференциальное (внутреннее) сопротивление. При его определении должны

    поддерживаться постоянными напряжения на управляющей и экранирующей сетках:

    Ri = dUa / dIa, (Uc1, Uc2 = const)

    (для пентода так же Uc3 = const).

    3. статический коэффициент усиления характеризует относительное влияние

    напряжении Uc1 и Ua на анодный ток

    ? = dUa / dUc1, (Ia, Uc2 = const)

    (для пентода так же Uc3 = const).

    29. Электронные лампы Пентод. Принцип действия Основные характеристики и

    параметры. Применение.

    Многоэлектродные лампы (МЛ) – это электронные лампы с общим электронным

    потоком, содержащие анод, катод и сетки. К МЛ относят тетроды, в том числе

    и лучевые, пентоды, частотопреобразовательные лампы и лампы специального

    назначения.

    Динатронный эффект можно устранить созданием тормозящего поля для вторичных

    электронов с анода с помощью сетки С3, вводимой в пространство А – С2,

    которая называется защитной. На сетку С3 подаем отрицательное напряжение.

    Назначение анода, катода, С1 и С2 то же самое, что и в других лампах.

    Вторичные электроны, которые выходят из анода не дойдут до С2, возвращаются

    обратно на анод, т.к. отталкиваются от отрицательно заряженной сетки С3. В

    результате этого динатронный эффект исчезает.

    [pic]

    рис. 1.

    В таких лампах проходная емкость еще меньше и они применяются на более

    высоких частотах.

    Параметры многоэлектродных ламп.

    1. крутизна анодно-сеточной характеристики отражает зависимость анодного

    тока тетрода или пентода от напряжения Uc1, при условии постоянства всех

    остальных напряжений

    S = dIa / dUc1, (Uc2, Ua = const)

    (для пентода так же Uc3 = const).

    2. дифференциальное (внутреннее) сопротивление. При его определении должны

    поддерживаться постоянными напряжения на управляющей и экранирующей сетках:

    Ri = dUa / dIa, (Uc1, Uc2 = const)

    (для пентода так же Uc3 = const).

    3. статический коэффициент усиления характеризует относительное влияние

    напряжении Uc1 и Ua на анодный ток

    ? = dUa / dUc1, (Ia, Uc2 = const)

    (для пентода так же Uc3 = const).

    31. Гибридные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы

    Страницы: 1, 2, 3, 4


    Приглашения

    09.12.2013 - 16.12.2013

    Международный конкурс хореографического искусства в рамках Международного фестиваля искусств «РОЖДЕСТВЕНСКАЯ АНДОРРА»

    09.12.2013 - 16.12.2013

    Международный конкурс хорового искусства в АНДОРРЕ «РОЖДЕСТВЕНСКАЯ АНДОРРА»




    Copyright © 2012 г.
    При использовании материалов - ссылка на сайт обязательна.