Сравнительная характеристика модулей памяти SIMM и DIMM

сигнала в модуле.

. Определение ширины дорожек и расстояния между ними.

. 6-слойные платы с отдельными сплошными слоями масса и питание.

. Детальная спецификация расстояний между слоями.

. Строгое определение длины тактового импульса, его маршрутизации,

момента начала и окончания.

. Подавляющие резисторы в цепях передачи данных.

. Детальная спецификация компонента SDRAM. Модули должны содержать

чипы памяти SDRAM, совместимые с Intel SDRAM Component SPEC

(version 1.5).

Данной спецификации отвечают только 8-нс чипы, а 10-нс чипы, по мнению

Intel, неспособны устойчиво работать на частоте 100 МГц.

. Детальная спецификация программирования EEPROM. Модуль должен

включать интерфейс SPD, совместимый с Intel SPD Component SPEC

(version 1.2).

. Особые требования к маркировке.

. Подавление электромагнитной интерференции.

. Местами позолоченные печатные платы.

Введение стандарта PC100 в некоторой степени можно считать рекламной

уловкой, но все известные производители памяти и системных плат поддержали

эту спецификацию, а с появлением следующего поколения памяти переходят на

его производство.

Спецификация PC100 является очень критичной, одно описание с

дополнениями занимает больше 70 страниц.

Для комфортной работы с приложениями, требующими высокого

быстродействия, разработано следующее поколение синхронной динамической

памяти - SDRAM PC133. В продаже можно найти модули, поддерживающие эту

спецификацию, причем цена на них превышает цены соответствующих моделей

PC100 на 10-30%. Насколько это оправдано, судить довольно сложно.

Продвижением данного стандарта на рынок занимается уже не Intel, а их

главный конкурент на рынке процессоров AMD. Intel же решила поддерживать

память от Rambus, мотивируя это тем, что она лучше сочетается с шиной AGP

4x.

133-МГц чипы направлены на использование с новым семейством

микропроцессоров, работающих на частоте системной шины 133 МГц, и полностью

совместимы со всеми PC100-продуктами. Такими производителями, как VIA

Technologies, Inc., Acer Laboratories Inc. (ALi), OPTi Inc., Silicon

Integrated Systems (SiS) и Standard Microsystems Corporation (SMC),

разработаны чипсеты, поддерживающие спецификацию PC133.

Недавно появилась еще одна интересная технология - Virtual Channel

Memory. VCM использует архитектуру виртуального канала, позволяющую более

гибко и эффективно передавать данные с использованием каналов регистра на

чипе. Данная архитектура интегрирована в SDRAM. VCM, помимо высокой

скорости передачи данных, совместима с существующими SDRAM, что позволяет

делать апгрейд системы без значительных затрат и модификаций. Это решение

также нашло поддержку у некоторых производителей чипсетов.

Enhanced SDRAM (ESDRAM)

Для преодоления некоторых проблем с задержкой сигнала, присущих

стандартным DRAM-модулям, производители решили встроить небольшое

количество SRAM в чип, т. е. создать на чипе кэш. Одним из таких решений,

заслуживающих внимания, является ESDRAM от Ramtron International

Corporation.

ESDRAM - это по существу SDRAM плюс немного SRAM. При малой задержке и

пакетной работе достигается частота до 200 МГц. Как и в случае внешней кэш-

памяти, DRAM-кэш предназначен для хранения наиболее часто используемых

данных. Следовательно, уменьшается время доступа к данным медленной DRAM.

DDR SDRAM (SDRAM II)

DDR SDRAM (Double Date Rate SDRAM) является синхронной памятью,

реализующей удвоенную скорость передачи данных по сравнению с обычной

SDRAM.

DDR SDRAM не имеет полной совместимости с SDRAM, хотя использует метод

управления, как у SDRAM, и стандартный 168-контактный разъем DIMM. DDR

SDRAM достигает удвоенной пропускной способности за счет работы на обеих

границах тактового сигнала (на подъеме и спаде), а SDRAM работает только на

одной.

SLDRAM

Стандарт SLDRAM является открытым, т. е. не требует дополнительной

платы за лицензию, дающую право на производство чипов, что позволяет

снизить их стоимость. Подобно предыдущей технологии, SLDRAM использует обе

границы тактового сигнала. Что касается интерфейса, то SLDRAM перенимает

протокол, названный SynchLink Interface. Эта память стремится работать на

частоте 400 МГц.

У всех предыдущих DRAM были разделены линии адреса, данных и

управления, которые накладывают ограничения на скорость работы устройств.

Для преодоления этого ограничения в некоторых технологических решениях все

сигналы стали выполняться на одной шине. Двумя из таких решений являются

технологии SLDRAM и DRDRAM. Они получили наибольшую популярность и

заслуживают внимания.

RDRAM (Rambus DRAM)

RDRAM представляет спецификацию, созданную Rambus, Inc. Частота работы

памяти равна 400 МГц, но за счет использования обеих границ сигнала

достигается частота, эквивалентная 800 МГц. Спецификация Rambus сейчас

наиболее интересна и перспективна.

Direct Rambus DRAM - это высокоскоростная динамическая память с

произвольным доступом, разработанная Rambus, Inc. Она обеспечивает высокую

пропускную способность по сравнению с большинством других DRAM. Direct

Rambus DRAMs представляет интегрированную на системном уровне технологию.

Технология Direct Rambus представляет собой третий этап развития

памяти RDRAM. Впервые память RDRAM появилась в 1995 г., работала на частоте

150 МГц и обеспечивала пропускную способность 600 Мбайт/с. Она

использовалась в станциях SGI Indigo2 IMPACTtm, в приставках Nintendo64, а

также в качестве видеопамяти. Следующее поколение RDRAM появилось в 1997 г.

под названием Concurrent RDRAM. Новые модули были полностью совместимы с

первыми. Но за год до этого события в жизни компании произошло не менее

значимое событие. В декабре 1996 г. Rambus, Inc. и Intel Corporation

объявили о совместном развитии памяти RDRAM и продвижении ее на рынок

персональных компьютеров.

Сейчас стали появляться новые типы RAM микросхем и модулей.

Встречаются такие понятия, как FPM RAM, EDO RAM, DRAM, VRAM, WRAM, SGRAM,

MDRAM, SDRAM, SDRAM II (DDR SDRAM), ESDRAM, SLDRAM, RDRAM, Concurrent

RDRAM, Direct Rambus. Большинство из этих технологий используются лишь на

графических платах, и в производстве системной памяти компьютера

используются лишь некоторые из них.

Память типа SRAM

Существует тип памяти, совершенно отличный от других, - статическая

оперативная память (Static RAM – SRAM). Она названа так потому, что, в

отличии от динамической оперативной памяти , для сохранения ее содержимого

не требуется переодической регенерации. Но это не единственное ее

преимущество. SRAM имеет более высокое быстродействие, чем динамическая

оперативная память, и может работать на той же частоте, что и современные

процессоры.

Время доступа SRAM не более 2 нс, это означает, что такая память может

работать синхронно с процессорами на частоте 500 МГц или выше. Однако для

хранения каждого бита в конструкции SRAM используется кластер из 6

транзисторов. Использование транзисторов без каких либо конденсаторов

означает, что нет необходимости в регенерации. Пока подается питание, SRAM

будет помнить то, что сохранено.

Микросхемы SRAM не используются для всей системной памяти потому, что

по сравнению с динамической оперативной памятью быстродействие SRAM намного

выше, но плотность ее намного ниже, а цена довольно высокая. Более низкая

плотность означает, что микросхемы SRAM имеют большие габариты, хотя их

информационная емкость намного меньше. Большое число транзисторов и

кластиризованное их размещение не только увеличивает габариты SRAM, но и

значительно повышает стоимость технологического процесса по сравнению с

аналогичными параметрами для микросхем DRAM.

Несмотря на это, разработчики все-таки применяют память типа SRAM для

повышения эффективности РС. Но во избежание значительного увеличения

стоимости устанавливается только небольшой объем высокоскоростной памяти

SRAM, которая используется в качестве кэш-памяти. Кэш-память работает на

тактовых частотах, близких или даже равных тактовым частотам процессора,

причем обычно именно эта память используется процессором при чтении и

записи. Во время операции чтения данные в высокоскоростную кэш-память

предварительно записываются из оперативний памяти с низким быстродействием,

то есть из DRAM. Поэтому именно кэш-память позволяет сократить количество

“простоев” и увеличить быстродействие компьютера в целом.

Эффективность кэш-памяти выражается коэффициентом совпадения, или

коэффициентом успеха. Коэффициент совпадения равен отношению количества

удачных обращений в кэш к общему количеству обращений. Попадание – это

событие состоящее в том, что необходимые процессору данные предварительно

считываются в кэш из оперативной памяти; иначе говоря, в случае попадания

процессор может считывать данные из кэш-памяти. Неудачным обращением в кэш

считается такое, при котором контроллер кэша не предусмотрел потребности в

данных, находящихся по указанному абсолютному адресу. В таком случае

необходимые данные не были предваритель считаны в кэш-память, поэтому

процессор должен отыскать их в более медленной оперативной памяти, а не в

быстродействующем кэше.

Чтобы минимизировать время ожидания при считывании процессором данных

из медленной оперативной памяти, в современных персональных компьютерах

обычно предусмотрены два типа кэш-памяти: кэш-память первого уровня (L1) и

кэш-память второго уровня (L2). Кэш-память первого уровня также называется

встроенным, или внутренним кэшем; он непосредственно встроен в процессор и

фактически является частью микросхемы процессора.

Кэш-память второго уровня называется вторичным, или внешним кэшем; он

устанавливается вне микросхемы процессора.

Первоначально кэш-память проектировадлась как асинхронная, то есть не

была синхронизирована с шиной процессора и могла работать на другой

тактовой частоте. При внедрении набора микросхем системной логики 430FX в

начале 1995 года был разработан новый тип синхронной кэш-памяти. Она

работает синхронно с шиной процессора, что повышает ее быстродействие и

эффективность. В то же время был добавлен режим pipeline burst mode

(конвеерный монопольный режим). Он позволил сократить время ожидания за

счет уменьшения количества состояний ожидания после первой передачи данных.

Использование одного из этих режимов подразумевает наличие другого.

Разъемы SIMM и DIMM

В большинстве современных компьютеров вместо отдельных микросхем памяти

используются модули SIMM или DIMM, представляющие собой небольшие платы,

которые устанавливаются в специальные разъемы на системной плате или плате

памяти. Отдельные микросхемы так припаены к плате модуля SIMM или DIMM, что

выпаить и заменить их практически невозможно. При появлении неисправности

приходится заменять весь модуль. По существу, модуль SIMM или DIMM можно

считать одной большой микросхемой.

Аббревиатура SIMM расшифровывается как Single Inline Memory Module

(Модуль памяти с однорядным расположением выводов).

Модули SIMM могут иметь объем 256 Кбайт, 1, 2, 4, 8, 16 и 32 Мбайт.

Соединение SIMM-модулей с системной платой осуществляется с помощью

колодок.

Модуль вставляется в пластмассовую колодку под углом 70 — градусов, а

потом зажимается пластмассовым держателем. При этом плата встает

вертикально. Специальные вырезы на модуле памяти не позволит поставить их

неправильным образом.

Модули SIMM для соединения с системной платой имеют не штырьки, а

позолоченные полоски (так называемые pin, пины).

SIMM-модули в своем развитии прошли два этапа. Первыми представителями

SIMM-модулей были 30-пиновые SIMM FPM DRAM. Их максимальная частота работы

— 29 МГц. Стандартным же временем доступа к памяти считалось 70 нс. Эти

модули уже с трудом работали на компьютерах с микропроцессорами i80486DX2,

и были вытеснены сначала 72-пиновыми FPM DRAM, а затем EDO RAM.

SIMM EDO RAM имеют только 72 пина и могут работать на частоте до 50

МГц. Этими модулями памяти оснащались компьютеры с процессорами Intel

80486DX2/DX4, Intel Pentium, Pentium Pro и Pentium MMX, а также AMD 80586 и

K5. Эти модули устанавливались на платах с чипсетом Intel 440TX, 440EX,

440LX, 450NX; VIA Apollo MVP 3/4, Pro/Pro+; ALI Alladin 4/4+/V/PRO II, ALI

Alladin TNT2.

В настоящее время SIMM-модули, как 30-pin, так и 72-pin не

удовлетворяют по своим характеристикам требованиям новых шин и процессоров.

Поэтому они все активнее заменяются модулями DIMM.

72-пиновые разъемы SIMM ожидает та же участь, которая несколькими

годами раньше постигла их 30-пиновых предшественников: те уже давно не

производятся. Им на смену в 1996 г. пришел новый разъем DIMM со 168

контактами, а сейчас появляется еще разъем RIMM. Если на SIMM

реализовывались FPM и EDO RAM, то на DIMM - более современная технология

SDRAM. В системную плату модули SIMM необходимо было вставлять только

попарно, а DIMM можно выбрать по одному, что связано с разрядностью внешней

шины данных процессоров Pentium. Такой способ установки предоставляет

больше возможностей для варьирования объема оперативной памяти.

Аббревиатура DIMM расшифровывается как Dual Inline Memory Module

(Модуль памяти с двойным расположением выводов). В модуле DIMM имеетс 168

контактов, которые расположены с двух сторон платы и разделены изолятором.

Также изменились и разъемы для DIMM-модулей.

Следует отметить, что разъем DIMM имеют много разновидностей DRAM. К

тому же вплоть до последнего времени модули DIMM не имели средств

самоконфигурирования (в отличие от SIMM-модулей). Поэтому для облегчения

выбора нужного модуля пользователям на материнских платах разные типы DIMM

имеют от одного до трех вырезов на модуле памяти. Они предотвращают от

неправильного выбора и неправильной установки модулей памяти.

Первоначально материнские платы поддерживали оба разъема, но уже

довольно продолжительное время они комплектуются исключительно разъемами

DIMM. Это связано с упомянутой возможностью устанавливать их по одному

модулю и тем, что SDRAM обладает большим быстродействием по сравнению с FPM

и EDORAM.

Если для FPM и EDO памяти указывается время чтения первой ячейки в

цепочке (время доступа), то для SDRAM указывается время считывания

последующих ячеек. Цепочка - несколько последовательных ячеек. На

считывание первой ячейки уходит довольно много времени (60-70 нс)

независимо от типа памяти, а вот время чтения последующих сильно зависит от

типа.

В качестве оперативной памяти также используются модули RIMM, SO-DIMM и

SO-RIMM. Все они имеют разное количество контактов. Модули SIMM сейчас

встречаются только в старых моделях материнских плат, а им на смену пришли

168-контактные DIMM. Модули SO-DIMM и SO-RIMM, имеющие меньшее количество

контактов, чем стандартные DIMM и RIMM, широко используются в портативных

устройствах. Модули RIMM можно встретить в платах на новом чипсете Intel

840.

При установке совпадение форм-факторов модуля и разъема не всегда

стопроцентно гарантирует работоспособность модуля. Для сведения к минимуму

риска использования неподходящего устройства применяются так называемые

ключи. В модулях памяти такими ключами являются один или несколько вырезов.

Этим вырезам на разъеме соответствуют специальные выступы. Так в модулях

DIMM используется два ключа. Один из них (вырез между 10 и 11 контактами)

отвечает за буферизованность модуля (модуль может быть буферизованным или

небуферизованным), а второй (вырез между 40 и 41 контактами) - за рабочее

напряжение (может быть 5 В или 3,3 В).

Использование модулей памяти с покрытием контактов, отличным от

покрытия контактов разъема также допускается. Хотя утверждают, что

материал, используемый для покрытия модулей и разъемов, должен совпадать.

Мотивируется это тем, что при различных материалах возможно появление

гальванической коррозии, и, как следствие, разрушение модуля. Хотя такое

мнение не лишено оснований, но, как показывает опыт, использование модулей

и разъемов с разным покрытием никак не сказывается на работе компьютера.

Также не всегда бывает, что после установки в компьютер модуля SIMM

большей емкости он нормально работает. Модули большой емкости можно

использовать только в том случае, если их поддерживает системная плата.

Допустимую емкость и необходимое быстродействие модулей SIMM можно выяснить

в документации к компьютеру.

Производители чипов

Существует много фирм, производящих чипы и модули памяти. Их можно

разделить на brand-name и generic-производителей.

При покупке (особенно на рынках) хорошо бы лишний раз убедиться в

правильности предоставляемой продавцом информации (как говорится, доверяй,

но проверяй). Произвести такую проверку можно расшифровав имеющуюся на чипе

строку букв и цифр (как правило, самую длинную) с помощью соответствующего

databook и материалов, находящихся на сайте производителя. Но часто бывает,

что необходимой информации не оказывается под рукой. И все же своей цели

можно добиться, т. к. большинство производителей придерживаются более или

менее стандартного вида предоставления информации (исключение составляют

Samsung и Micron). По маркировке чипа можно узнать производителя, тип

памяти, рабочее напряжение, скорость доступа, дату производства и др.

В конце прошлого года после долгого ожидания появились первые

системные платы на чипсете Intel 820, поддерживающие память Direct Rambus.

Правда, в наших магазинах пока нельзя приобрести ни таких плат, ни память.

Немаловажным вопросом при переходе на новую систему является ее

стоимость. При покупке системной платы на i820 скорее всего придется

приобретать новую память, т. к. этот чипсет поддерживает DRDRAM.

Технология производства DRDRAM не очень сильно отличается по стоимости

от производства SDRAM, но необходимо учесть, что стандарт RDRAM является

закрытым и, следовательно, чтобы производить эти чипы, фирма должна

приобрести соответствующую лицензию. Естественно, все эти дополнительные

расходы на производство отразятся на конечном пользователе (по некоторым

данным, память Direct Rambus стоит в пять раз дороже SDRAM).

Помимо использования другой технологии, модули Direct Rambus

используют и более низкое рабочее напряжение по сравнению с DIMM (2,5 В в

Direct Rambus против 3,3 В в SDRAM).

Увеличение объема памяти.

Увеличение существующего объема памяти – один из наиболее эффективных

и дешевых способов модернизации. Первый вопрос, который возникает при

выборе оперативной памяти – это какой объем нужен? В первую очередь

необходимый объем оперативной памяти определяет операционная система. Самая

распространенная на сегодняшний день операционная система это Windows’98.

Для того чтобы данная система могла более-менее спокойно работать ей

необходимо ~ 32Mb оперативной памяти. Плюс нужна память для запуска рабочих

приложений. Получаем следующее – для нормальной работы в среде Windows’98

необходимо 48Mb оперативной памяти. Если Вы будете играть в игры, то Вам

потребуется от 64Mb до 128 Mb. В любом случае – оперативная память это

важнейший элемент всего PC, ее объем напрямую связан с быстродействием того

или иного компьютера.

Добавление памяти сравнительно недорогая операция. Кроме того, даже

незначительное увеличение памяти может существенно повысить

производительность компьютера.

Добавить память в компьютер можно тремя способам:

1. Добавление памяти в свободные разъемы платы.

2. Замена установленной памяти, памятью большего объема.

3. Приобретение платы расширения памяти.

Добавление дополнительной памяти в устаревшие РС- или ХТ- совместимые

системы неэффективно, так как плата с двумя мегабайтами дополнительной

памяти может стоить дороже всего компьютера. Кроме того данный тип памяти

бесполезен при использовании Windows, а компьютеры класса РС или ХТ не

смогут работать под управлением OS2/, лучше приобрести более мощный

компьютер.

Прежде чем добавлять в компьютер микросхемы памяти (или заменять

дефектные микросхемы), следует определить тип необходимых микросхем

памяти. Эта информация должна содержаться в документации к системе.

Если необходимо заменить дефектную микросхему памяти и нет возможности

обратиться к документации, то тип установленных микросхем можно определить

путем визуального их осмотра. На каждой микросхеме есть маркировка, которая

указывает ее емкость и быстродействие.

Если необходимо расширить вычислительные возможности системной платыы

путем добавления памяти, надо следовать указаниям фирмы – производителя

микросхем памяти или модуля. В персональном компьютере могут использоваться

микросхемы памяти DIP, SIMM, SIPP и DIMM, причем можно устанавливать модули

как одного типа, так и нескольких.

Производитель системной платы компьютера определяет, какие в нем будут

использоваться микросхемы памяти: DIP, SIMM или DIMM.

Используемые микросхемы памяти, независимо от их типа, образуют банки

памяти, т.е. совокупность микросхем, которые составляют блок памяти. Каждый

банк считывается процессором за один такт. Банк памяти не станет работать

до тех пор, пока небудет окончательно заполнен.

В компьютерах на основе Pentium, Pentium Pro и Pentium II содержится

от двух до четырех банков памяти, причем каждый состоит из 72-контактных

(32- или 36-разрядных) модулей SIMM или одного 168-контактного модуля DIMM.

Установка дополнительной памяти на системной плате – несложный способ

увеличить объем памяти компьютера. Большинство систем имеет хотя бы один

незанятый банк памяти, в который можно установить дополнительную память, и

таким образом повысить производительность компьютера.

При установке или удалении памяти можно столкнуться со следующими

проблемами:

V накопление электростатических зарядов;

V повреждение выводов микросхем;

V неправильно установленные модули SIMM и DIMM;

V неправильное положение перемычек и переключателей.

Чтобы предотвратить накопление электростатических зарядов при

установке чувствительных микросхем памяти или плат, не следует надевать

одежду из синтетических тканей или обувь на кожанной подошве. Надо удалить

все накопленные статические заряды, прикоснувшись к корпусу системы до

начала работы, или, что еще лучше, надеть на запястье специальный браслет.

Браслет представляет собой проводящий ремешек, соединенный проводом с

корпусом компьютера. Чтобы заземлить корпус, не следует вынимать вилку из

сети питания, а просто выключить компьютер.

Сломанные или согнутые выводы служат другой причиной потенциальной

проблемы, связанной с установкой микросхем DIP или модулей памяти SIPP.

Иногда выводы на новых микросхемах изогнуты буквой V и их очень трудно

совместить с соответствующими отверстиями разъема. Следует положить чип на

стол и мягко нажать на него, стараясь изогнуть выводы так, чтобы они

расположились под углом 90° к микросхеме.

Каждая микросхема (или модуль памяти) должна быть установлена

соответствующим образом. На одном конце микросхемы имеется маркировка.

Гнездо микросхемы также может иметь соответствующую маркировку. Наконец, на

системной плате может быть указано, как правильно вставить микросхему. Под

небольшим углом следует осторожно вставить микросхему в гнездо, убедившись,

что каждый вывод совпал с отверстием разъема, а затем давить на микросхему

до тех пор, пока она полностью не войдет в разъем, после чего, надавив на

края модуля , установить его вертикально.

Ориентация модуля SIMM определяется вырезом, расположенным только с

одной стороны модуля. В гнезде есть выступ, который должен совпасть с

вырезом на одной стороне SIMM. Благодаря выступу установить модуль SIMM

«наоборот» можно только в случае повреждения гнезда. Если на системной

плате нет никаких подсказок, надо обратиться к описанию системы.

Подобно микросхемам SIMM, микросхемы DIMM имеют по краю ключи вырезы,

которые смещены от центра так, чтобы микросхемы могли быть однозначно

ориентированы.

Выталкиватель блокирует микросхему DIMM, когда она полностью

вставлена. Некоторые разъемы DIMM имеют выталкиватели на обоих концах. При

установке микросхемм SIMM и DIMM следует соблюдать осторожность, чтобы не

вдавливать модуль в разъем. Если модуль не проскакивает легко в разъем и

затем не фиксируется на своем месте, значит, он неправильно ориентирован

или не выровнен. Если к модулю приложить значительное усилие, можно сломать

его или разъем. Если сломаны зажимы разъема, память не будет установлена на

своем месте. В этом случае возможны сбои памяти.

Прежде чем устанавливать микросхемы или модули памяти, следует

убедиться, что питание системы отключено. Затем снять крышку компьютера и

все установленные платы. Модули SIMM и DIMM легко становятся на место. Для

снятия модулей SIMM следует отогнуть зажимы и вытащить модуль из гнезда.

После добавления микросхем памяти и сборки системы может понадобиться

изменить параметры BIOS. После конфигурации системы необходимо запустить

программу диагностики памяти. Это гарантирует стабильное функционирование

новой памяти. По крайней мере две или три программы диагностики памяти

будут работать на всех системах. Имеются ввиду тест POST и программы

расширенной диагностики.

Заключение

В этом реферате были рассмотрены типы памяти и их характеристики

разъемов SIMM и DIMM.

В настоящее время SIMM-модули, как 30-pin, так и 72-pin не

удовлетворяют по своим характеристикам требованиям новых шин и процессоров.

Поэтому им на смену в 1996 г. пришел новый разъем DIMM со 168 контактами, а

сейчас появляется еще разъем RIMM.

Первоначально материнские платы поддерживали оба разъема, но уже

довольно продолжительное время они комплектуются исключительно разъемами

DIMM. Это связано с упомянутой возможностью устанавливать их по одному

модулю и тем, что SDRAM обладает большим быстродействием по сравнению с FPM

и EDORAM.

Список литературы

1. Скотт Мюллер «Модернизация и ремонт ПК», 11-е издание, издательский

дом «Вильямс», М 2000г.

2. С.В.Симонович «Вы купили компьютер», М 2000г.

3. Жарков С. «Оперативная память».

4. INTERNET:

1) http://kv.minsk.by

2) http://www2.sscc.ru

3) www.megaplus.ru

4) www.izcity.com

Страницы: 1, 2