Реферат: Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах
Реферат: Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах
Государственный комитет по высшей школе.
Московский Государственный Институт Электроники и
Математики
(Технический Университет)
РЕФЕРАТ НА ТЕМУ
АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ СБИС
НА БАЗОВЫХ МАТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛАХ
Кафедра: МЭТ
Руководитель:
Фонарев
Исполнитель:
Ференец
Дмитрий Александрович
Группа: АП-41
Москва, 1995 г.
Предварительные сведения.
В данном реферате рассматриваются технологии,
связанные с
особенностями проектирования СБИС на базовых матричных
кристаллах.
Рассказывается о самом понятии базового матричного
кристалла. Ана-
лизируются основные этапы автоматизированного процесса
пректирова-
ния.
ПОТРЕБНОСТЬ ЭФФЕКТИВНОГО ПРЕКТИРОВАНИЯ СБИС.
СТАНДАРТНЫЕ И ПОЛУЗАКАЗНЫЕ ИС.
БАЗОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ТИПОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ.
Характерной тенденцией развития элементной базы
современной
электронно-вычислительной аппаратуры является быстрый
рост степени
интеграции. В этих условиях актуальной становится
проблема ускоре-
ния темпов разработки узлов аппаратуры, представляющих
собой БИС и
СБИС. При решении данной проблемы важно учитывать
существование
двух различных классов интегральных схем: стандартных
(или крупно-
серийных) и заказных. К первым относятся схемы, объем
производства
которых достигает миллионов штук в год. Поэтому
относительно
большие затраты на их проектирование и конструирование
оправдыва-
ются. Этот класс схем включает микропроцессоры,
различного вида
полупроводниковые устройства памяти (ПЗУ, ОЗУ и т.д.),
серии стан-
дартных микросхем и др. Схемы, принадлежащие ко
второму классу,
при объеме производства до нескольких десятков тысяч в
год, выпус-
каются для удовлетворения нужд отдельных отраслей
промышленности.
Значительная часть стоимости таких схем определяется
затратами на
их проектирование.
Основным средством снижения стоимости проектирования
и, глав-
ное, ускорения темпов разработки новых видов
микроэлектронной ап-
паратуры являются системы автоматизированного
проектирования
(САПР). В результате совместных действий конструкторов,
направлен-
ных на уменьшение сроков и снижение стоимости
проектирования БИС и
СБИС, появились так называемые полузаказные интегральные
микросхе-
мы, в которых топология в значительной степени
определяется унифи-
цированной конструкцией кристалла. Первые схемы, которые
можно от-
нести к данному классу, появились в 60-х годах. Они
изготавлива-
лись на унифицированном кристалле с фиксированным
расположением
функциональных элементов. При этом проектирование
заключалось в
назначении функциональных элементов схемы на места
расположения
соответствующих функциональных элементов кристалла и
проведении
соединений. Такой кристалл получил название базового,
поскольку
все фотошаблоны (исключая слои коммутации) для его
изготовления
являются постоянными и не зависят от реализуемой схемы.
Эти крис-
таллы, однако, нашли ограниченное применение из-за
неэффективного
использования площади кристалла, вызванного
фиксированным положе-
нием функциональных элементов на кристалле.
Для частичной унификации топологии интегральных
микросхем
(ИС) использовалось также проектирование схем на основе
набора ти-
повых ячеек. В данном случае унификация состояла в
разработке то-
пологии набора функциональных (типовых ячеек, имеющих
стандартизо-
ванные параметры (в частности, разные размеры по
вертикали). Про-
цесс проектирования при этом заключался в размещении в
виде гори-
зонтальных линеек типовых ячеек, соответствующих
функциональным
элементам схемы, в размещении линеек на кристалле и
реализации
связей, соединяющих элементы, в промежутках между
линейками. Шири-
на таких промежутков, называемых каналами, определяется в
процессе
трассировки. Отметим, что хотя в данном случае имеет
место унифи-
кация топологии, кристалл не является базовым, поскольку
вид всех
фотошаблонов определяется в ходе проектирования.
Современные полузаказные схемы реализуются на
базовом матрич-
ном кристалле (БМК), содержащем не соединенные между
собой прост-
ейшие элементы (например, транзисторы), а не
функциональные эле-
менты как в рассмотренном выше базовом кристалле.
Указанные эле-
менты располагаются на кристалле матричным способом (в
узлах пря-
моугольной решетки). Поэтому такие схемы часто называют
матричными
БИС. Как и в схемах на типовых ячейках топология набора
логических
элементов разрабатывается заранее. Однако в данном
случае тополо-
гия логическиго элемента создается на основе регулярно
расположен-
ных простейших элементов. Поэтому в ходе проектирования
логически-
мих элемент может быть размещен в любом месте
кристалла, а для
создания всей схемы требуется изготовить только
фотошаблоны слоев
коммутации. Основные достоинства БМК, заключающиеся в
снижении
стоимости и времени проектирования, обусловлены:
применением БМК
для проектирования и изготовления широкого класса БИС;
уменьшением
числа детализированных решений в ходе проектирования
БИС; упроще-
нием контроля и внесения изменений в топологию;
возможностью эф-
фективного использования автоматизированных методов
конструирова-
ния, которая обусловлена однородной структурой БМК.
Наряду с отмеченными достоинствами БИС на БМК не
обладают
предельными для данного уровня технологии параметрами и,
как пра-
вило, уступают как заказным, так и стандартным схемам.
При этом
следует различать технологические параметры интегральных
микросхем
и функциональных узлов (устройств), реализованных на
этих микрос-
хемах. Хотя технологические параметры стандартных
микросхем малой
и средней степени интеграции наиболее высоки, параметры
устройств,
реализованных на их основе, оказываются относительно
низкими.
ОСНОВНЫЕ ТИПЫ БМК
Базовый кристалл представляет собой прямоугольную
многослой-
ную пластину фиксированных размеров, на которой выделяют
перифе-
рийную и внутреннюю области (рис. 1). В периферийной
области рас-
полагаются внешние контактные площадки (ВКП) для
осуществления
внешнего подсоединения и периферийные ячеики для
реализации буфер-
ных схем (рис. 2). Каждая внешняя ячейка связана с
одной ВКП и
включает диодно-транзисторную структуру, позволяющую
реализовать
различные буферные схемы за счет соответствующего
соединения эле-
ментов этой структуры. В общем случае в периферийной
области могут
находиться ячейки различных типов. Причем периферийные
ячейки мо-
гут располагаться на БМК в различных ориентациях
(полученных пово-
ротом на угол, кратный 90', и зеркальным отражением).
Под базовой
ориентацией ячейки понимают положение ячейки,
расположенной на
нижней стороне кристалла.
├──┐
┌──────────────┐
├┐ │
│ Переферийная │ ├┘
│
│ ┌────────┐
│ ├──┤ ВО
│ │Внутрен.│ │ ├┐
│
│ │область │ │ ├┘
│
│ └────────┘
│ ├──┼─────┬─────┬─────┬───
│ область │ ПО├─┐│
┌─┐ │ ┌─┐ │ ┌─┐
│
└──────────────┘
└─┴┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴────
ПЯ ВКП
рис. 1 рис 2.
Во внутренней области кристалла матричным способом
располага-
ются макроячейки для реализации элементов проектируемых
схем (рис.
3). Промежутки между макроячейками используются для
электрических
соединений. При матричном расположении макроячеек
область для
трассировки естественным образом разбивается на
горизонтальные и
вертикальные каналы. В свою очередь в пределах
макроячейки матрич-
ным способом располагаются внутренние ячейки для
реализации логи-
ческих элементов. Различные способы расположения
внутренних ячеек
и макроячейках показаны на рис. 4. Причем наряду с
размещением
ячеек "встык" применяется размещение с
зазорами, в которых могут
проводиться трассы электрических соединений.
│ ┌───────
┌─┬─┐ ┌─┬─┬─┬─┬─┬
│ └────────
a)├─┼─┤ c)├─┼─┼─┼─┼─┼─
│ ┌─────────┐
┌─── └─┴─┘
└─┴─┴─┴─┴─┴─┴
│ └─────────┘
└─── ┌─┬─┬─┬─┬─┬
┌─┬┬─┬┬─┬┬─┬┬─┬┬
│ ┌─────────┐
┌──── b)└─┴─┴─┴─┴─┴─
d)└─┴┴─┴┴─┴┴─┴┴─
│ └─────────┘
└────
└───────────────────
Примеры структур макроячеек.
Структура ВО
рис. 3 рис. 4
Особенностью ячейки является специальное
расположение выво-
дов, согласованное со структурой макроячейки. А
именно, ячейки
размещаются таким образом, чтобы выводы ячеек оказались
на перифе-
рии макроячейки. Так, в одной из макроячеек выводы
каждой ячейки
дублируются на верхней и нижней ее сторонах. При этом
имеется воз-
можность подключения к любому выводу с двух сторон
ячейки, что
создает благоприятные условия для трассировки. Последнее
особенно
важно при проектировании СБИС.
В другой макроячейке выводы ячейки располагаются
только на
одной стороне, т. е. выводы ячеек верхнего ряда
находятся на
верхней стороне макроячейки, а нижнего -- на нижней.
Применение
таких макроячеек позволяет сократить требуемую площадь
кристалла,
но приводит к ухудшению условий для трассировки.
Поэтому данный
тип макроячеек используется лишь при степени интеграции,
не превы-
шаюшей 100 - 200 вентилей на кристалл. Отметим, что в
некоторых
типах БМК, кроме однотипных макроячеек, во внутренней
области мо-
гут присутствовать специализированные макроячейки,
реализующие ти-
повые функциональные узлы (например, запоминающее
устройство).
Помимо ячеек, являющихся заготовками для
реализации элемен-
тов, на БМК могут присутствовать фиксированные части
соединений. К
ним относятся шины питания, земли, синхронизации и
заготовки для
реализации частей сигнальных соединений. Например, для
макроячеек
(b) шины питания и земли проводятся вдоль верхней и
нижней сторон
соответственно. Для макроячеек (a,d) шины проводятся
вдоль линии,
разделяюшей верхний и нижний ряды ячеек, что приводит к
уменьшению
потерь площади кристалла. Для реализации сигнальных
соединений на
БМК получили распространение два вида заготовок:
фиксированное
расположение однонаправленных (горизонтальных или
вертикальных)
участков трасс в олном слое; фиксированное расположение
участков
трасс в одном слое и контрактных окон, обеспечиваюших
выход фикси-
рованных трасс во второй слой.
В первом случае для реализации коммутации
проектируемой схемы
не требуется разработка фотошаблона фиксированного
слоя, т. е.
число разрабатываемых фотошаблонов уменьшается на
единицу. Во вто-
ром случае число разрабатываемых фотошаблонов
уменьшается на два
(не требуется также фотошаблон контактных окон).
Отметим, что в
настоящее время получили распространение различные виды
формы и
расположения фиксированных трасс и контактных окон.
Целесообраз-
ность использования того или иного вида определяется
типом макроя-
чеек, степеныо интеграции кристалла и объемом
производства.
При реализации соединений на БМК часто возникает
необходи-
мость проведения трассы через область, занятую
макроячейкой. Такую
трассу будем называть транзитной. Для обеспечения такой
возможнос-
ти допускается: проведение соединения через область,
занятую ячей-
кой, проведение через зазоры между ячейками. Первый
способ может
применяться, если в ячейке не реализуется элемент, или
реализация
элемента допускает использование фиксированных трасс и
неподклю-
ченных выводов для проведения транзитной трассы.
Таким образом, в настоящее время разработано большое
многооб-
разие типов БМК, которые имеют различные пераметры. При
проектиро-
вании микросхем на БМК необходимо учитывать
конструктивно-техноло-
гические характеристики кристалла. К ним относятся
геометрические
параметры кристалла, форма и расположение макроячеек на
кристалле
и ячеек внутри макроячеек, расположение шин и способ
коммутации
сигнальных соединений.
Итак, следует отметить, что задача определения
структуры БМК
является достаточно сложной, и в настоящее время она
решается
конструктором преимущественно с использованием средств
автоматиза-
ции.
РЕАЛИЗАЦИЯ ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА БМК
Выше было показано, что БМК представляет собой
заготовку, на
которой определенным образом размещены электронные
приборы (тран-
зисторы и др.). Следовательно, проектирование микросхемы
можно бы-
ло бы вести и на приборном уровне. Однако этот способ
не находит
распространения на практике по следующим причинам.
Во-первых, воз-
никает задача большой размерности. Во-вторых, учитывая
повторяе-
мость структуры частей кристалла и логической схемы,
приходится
многократно решать однотипные задачи. Поэтому применение
БМК пред-
полагает использование библиотеки типовых логических
злелентов,
которая разрабатывается одновременно с конструкцией
БМК. В этом
отношении проектирование матричных БИС подобно
проектированию пе-
чатных плат на базе типовых серий микросхем.
Таким образом, при применении БМК проектируемая
схема описы-
вается на уровне логических элементов, а каждый элемент
содержится
в библиотеке. Эта библиотека формируется заранее. Она
должна обла-
дать функциональной полнотой для реализации широкого
спектра схем.
Традиционно подобные библиотеки содержат следующие
элементы: И-НЕ,
ИЛИ-НЕ, триггер, входные, выходные усилители и др. Для
реализации
элемента используется одна или несколько ячеек
кристалла, т. е.
размеры элемента всегда кратны размерам ячейки. Топология
элемента
разрабатывается на основе конструкции ячейки и
представляет собой
совокупность трасс, которые совместно с имеющимися на
кристалле
постоянными частями реализуют требуемую функцию. Именно
описание
указанных соединений и хранится в библиотеке.
В зависимости от того, на каких ячейках реализуются
элементы,
можно выделить внешние (согласующие усилители, буферные
схемы и
др.) и внутренние, или просто логические элементы.
Если внешние
элементы имеют форму прямоугольников независимо от типа
кристалла,
то для логических элементов сушествует большое
разнообразие форм,
которое определяется типом макроячеек. Так, для
макроячейки, пока-
╔════════╗
╔════════╗ ╔═══╤════╗
╔════════╗
║ ║ ║ ║ ║███│
║ ║████████║
╟────┐ ║
╟────────╢ ║███└────╢
║████████║
║████│ ║
║████████║ ║████████║
║████████║
╚════╧═══╝
╚════════╝ ╚════════╝
╚════════╝
рис. 5
занной на рис. 4(a), возможные формы элементов приведены
на рис.
5. При этом следует иметь в виду, что каждая форма может
быть реа-
лизована с поворотом относительно центра макроячейки
на угол,
кратный 90'. Для расширения возможностей наилучшего
использования
площади кристалла для каждого логического элемента
разрабатываются
варианты тапологии, позволяющие его реализовать в
различных частях
макроячейки. Поскольку структура макроячейки обладает
симметрией,
то эти варианты топологии, как правило, могут быть
получены из ба-
зового вращением относительно осей симметрии.
При проектировании на уровне элементов
существенными данными
являются форма логического элемента и расположение
его выводов
(цоколевка).
СИСТЕМЫ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ
МАТРИЧНЫХ БИС
ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
Задача конструирования матричных БИС состоит в
переходе от
заданной логической схемы к ее физической реализации
на основе
БМК. При этом исходные данные представляют собой описание
логичес-
кой схемы на уровне библиотечных логических элементов,
требования
к его функционированию, описание конструкции БМК и
библиотечных
элементов, а также технологические ограничения. Требуется
получить
конструкторскую документацию для изготовления
работоспособной мат-
ричной БИС. Важной характеристикой любой электронной
аппаратуры
является плотность монтажа. При проектировании матричных
БИС плот-
ность монтажа определяется исходными данными. При этом
возможна
ситуация, когда искомый вариант реализации не
существует. Тогда
выбирается одна из двух альтернатив: либо матричная БИС
проектиру-
ется на БМК больших размеров, либо часть схемы
переносится на дру-
гой кристалл, т. е. уменьшается объем проектируемой
схемы.
Основным требованием к проекту является 100%-ная
реализация
соединений схемы, а традиционным критерием, оценивающими
проект, -
суммарная длина соединений. Именно этот показатель связан
с такими
эксплуатационными параметрами, как надежность,
помехоустойчивость,
быстродействие. В целом задачи конструирования матричных
БИС и пе-
чатных плат родственны, что определяется заранее
заданной формой
элементов и высоким уровнем унификации конструкций.
Вместе с тем
имеют место следующие отличия:
- элементы матричных БИС имеют более сложную форму
(не пря-
моугольную);
- наличие нескольких вариантов реализации одного и
того же
типа элемента;
- позиции для размещения элементов группируются в
макроячей-
ки;
- элементы могут содержать проходы для транзитных
трасс;
- равномерное распределение внешних элементов по
всей перифе-
рии кристалла;
- ячейка БМК, не занятая элементом, может использоваться
для
реализации соединений;
- число элементов матричных БИС значительно
превышает значе-
ние соответствующего параметра печат ных плат.
Перечисленные отличия не позволяют непосредственно
использо-
вать САПР печатных плат для проектирования матричных
БИС. Поэтому
в настоящее время используются и разрабатываются новые
САПР, пред-
назначенные для проектирования матричных БИС, а также
дорабатыва-
ются и модернизируются уже действующие САПР печатных
плат для ре-
шения новых задач. Реализация последнего способа
особенно упроща-
ется, когда в системе имеется набор программ для решения
задач те-
ории графов, возникающих при конструировании.
Поскольку трассировка соединений на БМК ведется с
заданным
шагом на дискретном рабочем поле (ДРП), то необходимо
чтобы выводы
элементов попадали в клетки ДРП. Однако внешние выводы
макроячеек
могут располагаться с шагом, не кратным шагу ДРП. В
этом случае
используется простой прием введения фиктивных контактных
площадок,
связанных с внутренними частями ячейки. Если трасса к
макроячейке
не подходит, то область фиктивной площадки остается
свободной.
При разработке САПР БИС на БМК необходимо учитывать
требова-
ния к системам, диктуемые спецификой решаемой задачи. К
ним отно-
сятся:
1. Реализация сквозного цикла проектирования от
схемы до
комплектов машинных документов на изготовление, контроль
эксплуа-
тацию матричных БИС.
2. Наличие архива данных о разработках, хранимого
на долгов-
ременных машинных носителях информации.
3. Широкое применение интерактивных режимов на
всех этапах
проектирования.
4. Обеспечение работы САПР в режиме коллективного
пользова-
ния. Учитывая большую размерность залачи
проектирования,
большинство существующих САПР матричных БИС реализовано
на высо-
копроизводительных ЭВМ. Однако в последнее врем все
больше зару-
бежных фирм применяет и мини-ЭВМ.
ОСНОВНЫЕ ЭТАПЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ
Процесс проектирования матричных БИС традиционно
делится на
следующие укрупненные этапы:
1. Моделирование функционирования объекта
проектирования.
2. Разработка топологии.
3. Контроль результатов проектирования и доработка.
4. Выпуск конструкторской документации.
Рассмотрим каждый шаг в отдельности. Поскольку
матричная БИС
является ненастраиваемым и не ремонтоспособным объектом,
то необ-
ходимо еще на этапе проектирования обеспечить его
правильное
функционирование. Достижение этой цели возможно двумя
способами:
созданием макета матричных БИС на основе дискретных
элементов и
его испытанием и математическим моделированием. Первый
способ свя-
зан с большими временными и стоимостными затратами.
Поэтому макет
используется тогда, когда он специально не
разрабатывается, а уже
существует (например, при переходе от реализации
устройств на пе-
чатных платах к матричным БИС). Второй способ требует
создания эф-
фективной системы моделирования схем большого размера,
так как при
моделировании необходимо учитывать схемное окружение
матричных
БИС, которое по числу элементов во много раз больше самой
схемы.
Этап разработки топологии связан с решением
следуюших задач:
размещение элементов на БМК, трассировка соединений,
корректировка
топологии. Иногда в качестве предварительного шага
размещения ре-
шается специальная задача компоновки (распределения
элементов по
макроячейкам). В этом случае возможны различные методы
решения за-
дачи размещения. Первый метод состоит в том, чтобы после
компонов-
ки размещать группы элементов, соответствующих
макроячейкам, а за-
тем размещать элементы внутри каждой макроячейки. При
этом крите-
рий оптимальности компоновки вклкючает составляющие,
определяемые
плотностью заполнения макроячеек и связностью элементов
макроячей-
ки. Достоинствами этого метода являются сокращение
размерности за-
дачи размещения и сведение исходной задачи к
традиционным задачам
компоновки и размещения. Возможность применения
традиционных мето-
дов компоновки предопределяется тем, что условие
существования ре-
ализации группы элементов в макроячейке для получивших
распростра-
нение БМК легко выражается через суммарную площадь
элементов и от-
ношение совместимости пар элементов. Отметим, что так как
располо-
жение элементов внутри макроячеек существенно влияет
на условия
трассировки соединений между макроячейками,
рассмотренный метод
решения задачи размещения для некоторых типов БМК
может давать
сравнительно низкие результаты.
Другой метод размещения состоит в распределении
элементов по
макроячейкам с учетом координат макроячеек. В этом
случае в ходе
компоновки определяются координаты элементов с точностью
до разме-
ров макроячеек и появляется возможность учета положения
транзитных
трасс. Для матричных схем небольшой степени интеграции
(до 1000
элементов на кристалле) применяются модификации
традиционных алго-
ритмов размещения и трассировки. Для СБИС на БМК
необходима разра-
ботка специальных методов.
Задача корректировки топологии возникает в связи с
тем, что
существующие алгоритмы размещения и трассировки могут
не найти
полную реализацию объекта проектирования на БМК.
Возможна ситуа-
ция, когда алгоритм не находит размещение всех элементов
на крист-
алле, хотя суммарная площадь элементов меньше площади
ячеек на
кристалле. Это положение может быть обусловлено как
сложностью
формы элементов, так и необходимостью выделения ячеек для
реализа-
ции транзитных трасс. Задача определения минимального
числа макро-
ячеек для размещения элементов сложной формы
представляет собой
известную задачу покрытия.
Возможность отсутствия полной трассировки
обусловлена эврист-
ическим характером применяемых алгоритмов. Кроме того,
в отличие
от печатных плат навесные проводники в матричных БИС
запрещены.
Поэтому САПР матричных БИС обязательно включает средства
корректи-
ровки топологии. При этом в процессе корректировки
выполненяются
следующие операции: выделение линии содиняемых
фрагментов; измене-
ние положения элементов и трасс с контролем вносимых
изменений;
автоматическая трассировки указанных соединений;
контроль соот-
ветствия результатов трассировки исходной схеме. Уже
сейчас акту-
альной является задача перепроектирования любого
фрагмента тополо-
гии. Для матричных БИС таким фрагментом может быть канал
для трас-
сировки, или макроячейка, в которой варьируется
размещение элемен-
тов и др. Решение последней задачи, помимо реализации
функций про-
ектирования с заданными граничными условиями
(определяемыми окру-
жением фрагмента), требует разработки аппарата
формирования
подсхемы, соответствующей выделенному фрагменту.
На этапе контроля проверяется адекватность
полученного проек-
та исходным данным. С этой целью прежде всего
контролируется соот-
ветствие топологии исходной принципиальной (логической)
схеме. Не-
обходимость данного вида контроля обусловлена
корректировкой топо-
логии, выполненной разработчиком, поскольку этог
процесс может
сопровождаться внесением ошибок. В настоящее время
известны два
способа решения рассматриваемой задачи. Первый сводится
к восста-
новлению схемы по топологии и дальнейшему сравнению ее с
исходной.
Эта задача близка к проверке изоморфизма графов. Однако
на практи-
ке для ее решения может быть получен приемлемый по
трудоемкости
алгоритм ввиду существования фиксированного соответствия
между не-
которыми элементами сравниваемых объектов.
Дополнительная слож-
ность данной задачи связана с тем, что в процессе
проектирования
происходит распределение инвариантных объектов (например,
логичес-
ки эквивалентных выводов элементов), поэтому для
логически тож-
дественных схем могут не существовать одинаковые описания
и, сле-
довательно, требуются специальные модели,
отображающие инвари-
антные элементы. В общем случае универсальные модели для
представ-
ления инвариантных элементов не известны, что и явилось
одной из
причин развития второго способа, согласно которому
проводится пов-
торное логическое моделирование восстановленной схемы.
Функционирование спроектированной схемы мотает
отличаться от
требуемого не только из-за ошибок, внесенных
конструктором, но и в
результате образования паразитных элементов. Поэтому
для более
полной оценки работоспособности матричных БИС при
восстановлении
схемы по топологии желательно вычислять значения
параметров пара-
зитных емкостей и сопротивлений и учитывать их при
моделировании
на логическом и схемотехническом уровнях.
Существуют причины, по которым перечисленные методы
контроля
не позволяют гарантировать работоспособность матричных
БИС. К ним
относятся, например, несовершенства моделей и методов
моделирова-
ния. Поэтому контроль с помощью моделирования
дополняется контро-
лем опытного образца. Для этого на этапе лроектирования
с помощью
специальных программ осуществляется генерация тестов для
проверки
готовых БИС. Отметим, что при проектировании матричных
БИС прове-
дение трудоемкого геометрического контроля не требуется,
так как
трассировка ведется на ДРП, а топология элементов
контролируется
при их разработке.
Заключительным этапом проектирования матричных БИС
является
выпуск конструкторской документации, которая содержит
информацию
(на соответствующих носителях) для управления
технологическими
станками-автоматами и сопроводительные чертежи и таблицы,
состав и
содержание которых регламентируются ГОСТами, а оформление
- требо-
ваниями ЕСКД. Для автоматизированного выпуска графической
и текст-
овой документации обычно разрабатывается входной
язык, который
позволяет: компактно и наглядно описывать отдельные
фрагменты до-
кумента; размещать отдельные фрагменты на площади
документа;
извлекать требуемую информацию из архива и включать ее во
фрагмен-
ты документов; распечатывать требуемый документ.
|